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K9K8G08U0D-SCB0 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/23 10:38:59 查看 閱讀:8

K9K8G08U0D-SCB0是三星(Samsung)公司生產(chǎn)的NAND閃存芯片,采用MLC(多層單元)技術(shù),主要應(yīng)用于大容量存儲需求的場景。該芯片具有高可靠性、快速讀寫速度和低功耗的特點(diǎn),廣泛用于固態(tài)硬盤(SSD)、嵌入式存儲設(shè)備以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品中。
  該型號屬于Samsung K9系列NAND Flash產(chǎn)品線,支持標(biāo)準(zhǔn)的ONFI(Open NAND Flash Interface)協(xié)議,確保與各種主控芯片的兼容性。

參數(shù)

存儲容量:8GB
  存儲類型:MLC NAND Flash
  接口類型:ONFI 2.3
  數(shù)據(jù)寬度:8位
  工作電壓Vcc:2.7V ~ 3.6V
  工作電壓VccQ:1.7V ~ 2.0V
  封裝形式:TSOP
  工作溫度范圍:-40℃ ~ 85℃
  頁面大�。�4KB
  區(qū)塊大�。�512KB
  最大擦寫次數(shù):3000次

特性

K9K8G08U0D-SCB0芯片具備以下顯著特性:
  1. 高密度存儲:單顆芯片提供8GB的大容量存儲能力,適用于需要大容量存儲的應(yīng)用場景。
  2. 快速讀寫性能:通過優(yōu)化的架構(gòu)設(shè)計(jì)和先進(jìn)的制造工藝,提供更高的數(shù)據(jù)傳輸速率,滿足現(xiàn)代應(yīng)用對高速存儲的需求。
  3. 良好的耐用性:盡管是MLC技術(shù),但其擦寫壽命經(jīng)過優(yōu)化,能夠滿足大多數(shù)工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用場景的需求。
  4. 低功耗設(shè)計(jì):在保證高性能的同時(shí),通過先進(jìn)的電源管理技術(shù)降低功耗,延長電池供電設(shè)備的續(xù)航時(shí)間。
  5. 廣泛的兼容性:支持ONFI 2.3接口標(biāo)準(zhǔn),可以輕松集成到各種系統(tǒng)中,簡化設(shè)計(jì)流程。
  6. 穩(wěn)定的工作溫度范圍:能夠在-40℃至85℃的寬溫范圍內(nèi)穩(wěn)定工作,適合各種環(huán)境條件下的應(yīng)用。

應(yīng)用

K9K8G08U0D-SCB0芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 固態(tài)硬盤(SSD):作為主要存儲介質(zhì),為SSD提供大容量和高性能的數(shù)據(jù)存儲能力。
  2. 嵌入式系統(tǒng):包括工業(yè)控制設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備等,為這些系統(tǒng)提供可靠的存儲解決方案。
  3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:如數(shù)碼相機(jī)、平板電腦、智能手機(jī)等,滿足用戶對大容量存儲的需求。
  4. 數(shù)據(jù)記錄設(shè)備:例如行車記錄儀、監(jiān)控?cái)z像頭等,用于長時(shí)間連續(xù)存儲高清視頻數(shù)據(jù)。
  5. 游戲機(jī)和其他娛樂設(shè)備:為游戲和多媒體內(nèi)容提供高效的存儲支持。

替代型號

K9K8G08U1M-SCK0
  K9K8G08U0M-SCK0
  K9K8G08U1D-SCK0

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