GA1206A182KXCBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等場(chǎng)�。該芯片采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高效率和良好的熱性能�
這款器件能夠在高頻開(kāi)�(guān)條件下提供穩(wěn)定的性能,并具備較強(qiáng)的電流承載能力,適用于對(duì)功率密度和效率要求較高的�(yīng)用場(chǎng)��
型號(hào):GA1206A182KXCBR31G
�(lèi)型:N溝道 MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大連續(xù)漏極電流(Id)�18A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.5mΩ
總柵極電�(Qg)�75nC
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247
GA1206A182KXCBR31G 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高雪崩能量能力,確保在異常情況下仍能保持可靠�(yùn)��
3. 快速開(kāi)�(guān)速度,支持高頻應(yīng)�,減少磁性元件體��
4. �(qiáng)大的電流承載能力,適合大功率�(fù)載的�(yīng)��
5. 良好的熱性能�(shè)�(jì),有助于提升整體系統(tǒng)的散熱表�(xiàn)�
6. 寬工作溫度范�,適�(yīng)各種�(yán)苛環(huán)境下的使用需��
該芯片適用于多種電力電子�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
4. 工業(yè)�(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)�
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控��
6. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的電源管理模塊�
GA1206A182KXCBR31H, IRF540N, FDP5570N