GA1206A181KBLBR31G是一款高性能的功率MOSFET器件,主要用于開�(guān)電源、電機驅(qū)動和負載切換等應�。該器件采用了先進的制造工藝,具有低導通電阻和快速開�(guān)特�,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和�(wěn)定��
該型號屬于溝道增強型MOSFET,適用于高電流密度的應用場景。其封裝形式為行�(yè)標準,便于設(shè)計人員集成到各種電路中�
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
持續(xù)漏極電流(Id)�150A
導通電�(Rds(on))�1.8mΩ
總功�(Ptot)�250W
�(jié)溫范�(Tj)�-55� to +175�
封裝形式:TO-247
GA1206A181KBLBR31G具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電阻Rds(on),可降低功率損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)性能,適合高頻應��
3. 高電流承載能�,確保在高負載條件下的穩(wěn)定運��
4. 具備良好的熱�(wěn)定性,支持長時間高溫工��
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且安全�
6. 耐雪崩能力強,能夠在異常條件下提供額外保��
這些特性使得該器件成為工業(yè)級和消費級應用的理想選擇�
該器件廣泛應用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)�
2. 電動工具和家用電器中的電機驅(qū)��
3. 電信�(shè)備中的負載切��
4. 太陽能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模��
5. 各種工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制單元�
其強大的電流處理能力和高效性能使其成為許多大功率應用的核心組件�
GA1206A181KBLBR32G
IRFP2907
FDP16N60E