日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好,歡迎來(lái)到維�(kù)電子市場(chǎng)�(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)

您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NSBC123EDXV6T1G

NSBC123EDXV6T1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 10:13:15 查看 閱讀�19

NSBC123EDXV6T1G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,能夠有效提高系�(tǒng)的效率和可靠��
  這款芯片屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,其�(shè)�(jì)旨在滿足�(xiàn)代電力電子設(shè)備對(duì)高效能和小型化的需�。通過(guò)�(yōu)化的封裝形式和內(nèi)部結(jié)�(gòu),NSBC123EDXV6T1G能夠在高溫環(huán)境下�(wěn)定工�,同�(shí)保持較低的功��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  持續(xù)漏極電流�40A
  �(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  柵極電荷�80nC
  開關(guān)�(shí)間:開啟�(shí)�10ns,關(guān)閉時(shí)�25ns
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

NSBC123EDXV6T1G具備低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn),這有助于減少�(dǎo)通損耗并提升整體效率。此�,其快速的開關(guān)特性和較低的柵極電荷使其非常適合高頻應(yīng)用環(huán)境�
  該芯片還采用了堅(jiān)固的封裝技�(shù),確保了在惡劣條件下的可靠運(yùn)�。結(jié)合出色的熱管理能力,NSBC123EDXV6T1G可為用戶提供卓越的性能表現(xiàn)和長(zhǎng)期穩(wěn)定��
  其高電流承載能力和寬廣的工作溫度范圍也使得它成為工業(yè)�(jí)和汽車級(jí)�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

NSBC123EDXV6T1G廣泛用于各類電力電子系統(tǒng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開�(guān)元件�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流��
  3. 電動(dòng)工具及家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
  4. 汽車電子中的�(fù)載切換和保護(hù)電路�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊�
  由于其優(yōu)秀的電氣性能和機(jī)械特�,這款芯片在眾多行�(yè)中都得到了廣泛應(yīng)用�

替代型號(hào)

NTMFS4828N, IRFZ44N, FDP55N06L

nsbc123edxv6t1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

nsbc123edxv6t1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓�
  • 系列-
  • 晶體管類�2 �(gè) NPN �(yù)偏壓式(雙)
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)50V
  • 電阻� - 基極 (R1)(歐�2.2k
  • 電阻� - �(fā)射極 (R2)(歐�2.2k
  • 在某 Ic、Vce �(shí)的最小直流電流增� (hFE)8 @ 5mA�10V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)250mV @ 5mA�10mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)500nA
  • 頻率 - �(zhuǎn)�-
  • 功率 - 最�500mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SOT-563,SOT-666
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-563
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NSBC123EDXV6T1GOS