NSBC123EDXV6T1G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,能夠有效提高系�(tǒng)的效率和可靠��
這款芯片屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,其�(shè)�(jì)旨在滿足�(xiàn)代電力電子設(shè)備對(duì)高效能和小型化的需�。通過(guò)�(yōu)化的封裝形式和內(nèi)部結(jié)�(gòu),NSBC123EDXV6T1G能夠在高溫環(huán)境下�(wěn)定工�,同�(shí)保持較低的功��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流�40A
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�80nC
開關(guān)�(shí)間:開啟�(shí)�10ns,關(guān)閉時(shí)�25ns
工作溫度范圍�-55� � +175�
NSBC123EDXV6T1G具備低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn),這有助于減少�(dǎo)通損耗并提升整體效率。此�,其快速的開關(guān)特性和較低的柵極電荷使其非常適合高頻應(yīng)用環(huán)境�
該芯片還采用了堅(jiān)固的封裝技�(shù),確保了在惡劣條件下的可靠運(yùn)�。結(jié)合出色的熱管理能力,NSBC123EDXV6T1G可為用戶提供卓越的性能表現(xiàn)和長(zhǎng)期穩(wěn)定��
其高電流承載能力和寬廣的工作溫度范圍也使得它成為工業(yè)�(jí)和汽車級(jí)�(yīng)用的理想選擇�
NSBC123EDXV6T1G廣泛用于各類電力電子系統(tǒng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開�(guān)元件�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流��
3. 電動(dòng)工具及家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
4. 汽車電子中的�(fù)載切換和保護(hù)電路�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊�
由于其優(yōu)秀的電氣性能和機(jī)械特�,這款芯片在眾多行�(yè)中都得到了廣泛應(yīng)用�
NTMFS4828N, IRFZ44N, FDP55N06L