GA1206A181KBEBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能等特�(diǎn),能夠有效提升系�(tǒng)的效率和可靠��
該型�(hào)屬于溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體�,適用于需要高效能和高可靠性的電力電子�(shè)�。其封裝形式和電氣參�(shù)�(jīng)過優(yōu)化設(shè)�(jì),可以滿足現(xiàn)代電子系�(tǒng)�(duì)小型化和高性能的需��
類型:N溝道 MOSFET
最大漏源電壓:120V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�6.4A
�(dǎo)通電阻(典型值)�18mΩ
總功耗:10W
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-252(DPAK)
GA1206A181KBEBR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,僅為18毫歐,有助于減少�(dǎo)通損耗并提高整體效率�
2. 快速開�(guān)能力,能�?qū)崿F(xiàn)高頻操作,從而減小濾波器尺寸并降低系�(tǒng)成本�
3. 高擊穿電壓(120V�,使其能夠在較高電壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
4. 出色的熱性能,允許更高的功率密度和更緊湊的設(shè)�(jì)�
5. 提供了強(qiáng)大的靜電防護(hù)功能,確保在各種�(shí)際應(yīng)用場景下的可靠��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代化電路��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率�(zhuǎn)換�
2. 電池管理系統(tǒng)的充放電控制�
3. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心開�(guān)元件�
4. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
6. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和信�(hào)�(diào)節(jié)�
其卓越的性能和可靠性使其成為眾多高要求�(yīng)用的理想選擇�
GA1206A181KBEBR31G, IRFZ44N, FDP5500