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GA1206A181KBEBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/16 17:00:43 查看 閱讀�18

GA1206A181KBEBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能等特�(diǎn),能夠有效提升系�(tǒng)的效率和可靠��
  該型�(hào)屬于溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體�,適用于需要高效能和高可靠性的電力電子�(shè)�。其封裝形式和電氣參�(shù)�(jīng)過優(yōu)化設(shè)�(jì),可以滿足現(xiàn)代電子系�(tǒng)�(duì)小型化和高性能的需��

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  最大漏源電壓:120V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�6.4A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�18mΩ
  總功耗:10W
  工作溫度范圍�-55℃至+175�
  封裝形式:TO-252(DPAK)

特�

GA1206A181KBEBR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,僅為18毫歐,有助于減少�(dǎo)通損耗并提高整體效率�
  2. 快速開�(guān)能力,能�?qū)崿F(xiàn)高頻操作,從而減小濾波器尺寸并降低系�(tǒng)成本�
  3. 高擊穿電壓(120V�,使其能夠在較高電壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
  4. 出色的熱性能,允許更高的功率密度和更緊湊的設(shè)�(jì)�
  5. 提供了強(qiáng)大的靜電防護(hù)功能,確保在各種�(shí)際應(yīng)用場景下的可靠��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代化電路��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率�(zhuǎn)換�
  2. 電池管理系統(tǒng)的充放電控制�
  3. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心開�(guān)元件�
  4. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和信�(hào)�(diào)節(jié)�
  其卓越的性能和可靠性使其成為眾多高要求�(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

GA1206A181KBEBR31G, IRFZ44N, FDP5500

ga1206a181kbebr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容180 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-