GA1206A180JXCBC31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),從而提升了整體效率并降低了能��
這款芯片通常以表面貼裝的形式封裝,適合自�(dòng)化生�(chǎn)和緊湊型�(shè)�(jì)需�。它能夠承受較高的電壓和電流�(fù)載,并具備良好的熱性能,確保在各種工況下的�(wěn)定運(yùn)��
型號(hào):GA1206A180JXCBC31G
類型:N溝道功率MOSFET
Vds(漏源極耐壓):120V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�6mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):180A
Qg(柵極電荷)�45nC
Bvdss(擊穿電壓)�120V
fmax(最大工作頻率)�500kHz
封裝形式:TO-247-3
工作溫度范圍�-55℃至+175�
GA1206A180JXCBC31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,可有效減少功率損��
2. 高速開�(guān)能力,支持高�(dá)500kHz的工作頻��
3. 良好的熱性能和散熱設(shè)�(jì),適�(yīng)高功率應(yīng)用環(huán)境�
4. 出色的抗雪崩能力和短路保�(hù)功能,增�(qiáng)了系�(tǒng)的可靠性�
5. 寬泛的工作溫度范�,使其能夠在極端條件下正常裝牢固可靠,便于大�(guī)模生�(chǎn)及使��
這些特點(diǎn)使得該芯片非常適合用于需要高效能與高�(wěn)定性的電子電路��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開�(guān)管或同步整流��
2. 電動(dòng)汽車(EV)及混合動(dòng)力汽�(HEV)�(nèi)的電�(jī)控制��
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的直流電�(jī)�(qū)�(dòng)�
4. LED照明系統(tǒng)的恒流控制模��
5. 太陽能逆變器以及其他新能源相關(guān)�(shè)��
6. 各類消費(fèi)電子�(chǎn)品中的電源管理單��
其強(qiáng)大的性能和靈活性為工程師提供了更多的設(shè)�(jì)可能��
IRFP2907, FDP18N12, STP180N12W