PDWB0150R8 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術的高效功率開關器件,專為高頻率、高效率的應用場景設計。該芯片采用了先進的橫向場效應晶體管 (FET) 結構,具備低導通電阻和快速開關速度的特點,能夠顯著降低功率轉換過程中的能量損��
PDWB0150R8 主要應用于電源管理領域,� DC-DC 轉換�、無線充電模塊以� USB-PD 充電器等。其卓越的性能使得在小尺寸設計中實�(xiàn)高功率密度成為可能�
額定電壓�650V
導通電阻:150mΩ
最大電流:8A
柵極電荷�30nC
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-2520150R8 的主要特性包括:
1. 高效的氮化鎵技�,支持高頻操作并減少磁性元件的體積�
2. 極低的導通電阻(150mΩ),有助于降低傳導損��
3. 快速開關能力,可實�(xiàn)高達幾兆赫茲的操作頻��
4. 內置過溫保護和短路保護功能,確保�(wěn)定運��
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且適合�(xiàn)代綠色能源應��
6. 小型化的封裝設計,適應空間受限的應用�(huán)��
PDWB0150R8 廣泛應用于以下領域:
1. 高效 DC-DC 轉換�,特別是在需要高功率密度的設計中�
2. USB-PD 充電器及快充適配�,提升充電效��
3. 開關模式電源 (SMPS),用于消費電子設備供��
4. 工業(yè)級電源系�(tǒng),如通信基站、服務器電源模塊�
5. 無線充電�(fā)射端與接收端,提供更高效的能量傳輸方案�
PDWB0100R8
PDWB0200R8