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PDWB0150R8 發(fā)布時間 時間�2025/6/4 17:17:08 查看 閱讀�7

PDWB0150R8 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術的高效功率開關器件,專為高頻率、高效率的應用場景設計。該芯片采用了先進的橫向場效應晶體管 (FET) 結構,具備低導通電阻和快速開關速度的特點,能夠顯著降低功率轉換過程中的能量損��
  PDWB0150R8 主要應用于電源管理領域,� DC-DC 轉換�、無線充電模塊以� USB-PD 充電器等。其卓越的性能使得在小尺寸設計中實�(xiàn)高功率密度成為可能�

參數(shù)

額定電壓�650V
  導通電阻:150mΩ
  最大電流:8A
  柵極電荷�30nC
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-2520150R8 的主要特性包括:
  1. 高效的氮化鎵技�,支持高頻操作并減少磁性元件的體積�
  2. 極低的導通電阻(150mΩ),有助于降低傳導損��
  3. 快速開關能力,可實�(xiàn)高達幾兆赫茲的操作頻��
  4. 內置過溫保護和短路保護功能,確保�(wěn)定運��
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且適合�(xiàn)代綠色能源應��
  6. 小型化的封裝設計,適應空間受限的應用�(huán)��

應用

PDWB0150R8 廣泛應用于以下領域:
  1. 高效 DC-DC 轉換�,特別是在需要高功率密度的設計中�
  2. USB-PD 充電器及快充適配�,提升充電效��
  3. 開關模式電源 (SMPS),用于消費電子設備供��
  4. 工業(yè)級電源系�(tǒng),如通信基站、服務器電源模塊�
  5. 無線充電�(fā)射端與接收端,提供更高效的能量傳輸方案�

替代型號

PDWB0100R8
  PDWB0200R8

pdwb0150r8推薦供應� 更多>

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