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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206A152GBCBT31G

GA1206A152GBCBT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/28 20:57:28 查看 閱讀�11

GA1206A152GBCBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效�、高頻率的開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率并降低功耗�
  該器件為 N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,其�(shè)�(jì)旨在滿足�(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和小型化的需�。其封裝形式和電氣性能使其成為眾多工業(yè)及消�(fèi)類應(yīng)用的理想選擇�

參數(shù)

最大漏源電壓:120V
  連續(xù)漏極電流�6.8A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�15mΩ
  柵極電荷�43nC
  輸入電容�1370pF
  工作溫度范圍�-55� � +150�
  封裝形式:TO-252

特�

GA1206A152GBCBT31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損�,提高整體系�(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
  3. 高雪崩能量耐受能力,增�(qiáng)了器件在異常條件下的可靠��
  4. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)� PCB 空間�
  5. �(yōu)異的熱性能表現(xiàn),確保在高溫�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(wú)鉛工藝制��

�(yīng)�

該功� MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流管�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器,包括降�、升壓和反激式拓?fù)�?br>  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
  4. 電池保護(hù)電路�
  5. 各種工業(yè)控制及汽車電子系�(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)�
  6. LED �(qū)�(dòng)器中的功率管理單��

替代型號(hào)

IRFZ44N
  FDP5800
  STP60NF06L

ga1206a152gbcbt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1500 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-