GA0805A220FXBBP31G 是一種基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高性能功率晶體�,專為高頻、高效率的應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),能夠顯著提升電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度,同�(shí)降低開關(guān)損�。其主要�(yīng)用領(lǐng)域包� DC-DC �(zhuǎn)換器、無(wú)線充電設(shè)�、激光雷�(dá)系統(tǒng)以及各種工業(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品的電源管理部分�
該型�(hào)屬于 GaN Systems 的產(chǎn)品系�,具有低�(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和出色的熱性能等優(yōu)�(diǎn),非常適合需要高效率和小尺寸解決方案的設(shè)�(jì)�
類型:增�(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體� (e-mode GaN FET)
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):220 mΩ
最大漏源電壓(Vds):650 V
最大柵源電壓(Vgs):+6 V / -10 V
連續(xù)漏極電流(Id):5 A
峰值脈沖漏極電流(Idp):25 A
輸入電容(Ciss):450 pF
輸出電容(Coss):35 pF
反向傳輸電容(Crss):9 pF
開關(guān)頻率:高�(dá) 5 MHz
工作溫度范圍�-40°C � +125°C
GA0805A220FXBBP31G 具備以下�(guān)鍵特性:
1. 高效功率�(zhuǎn)換:由于其低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)能力,可以大幅減少導(dǎo)通和開關(guān)損��
2. 小型化設(shè)�(jì):有�(yōu)�(shì),該器件能夠在更小的封裝�(nèi)提供更高的功率密度�
3. 熱性能�(yōu)異:通過(guò)�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì),有效提升了散熱能力,確保在高功率應(yīng)用場(chǎng)景下的穩(wěn)定運(yùn)��
4. 可靠性高:具備過(guò)壓保�(hù)、短路保�(hù)等功�,適用于多種�(yán)苛的工作�(huán)��
5. 快速動(dòng)�(tài)響應(yīng):支持高頻操�,適合需要快速調(diào)節(jié)輸出的應(yīng)用場(chǎng)景�
6. 易于�(qū)�(dòng):兼容標(biāo)�(zhǔn)� MOSFET �(qū)�(dòng)電路,簡(jiǎn)化了系統(tǒng)�(shè)�(jì)流程�
該器件廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 電源適配器和充電器:用于開發(fā)高效的小型快充解決方��
2. �(shù)�(jù)中心電源:實(shí)�(xiàn)更高效率� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)��
3. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng):提供緊湊且高效的功率控��
4. 新能源汽車:用于車載充電器、逆變器和 DC-DC �(zhuǎn)換器�
5. 激光雷�(dá)系統(tǒng):支持高速信�(hào)處理和高精度距離�(cè)��
6. �(wú)線能量傳輸:提升�(wú)線充電系�(tǒng)的效率和可靠性�
GS66508T, GS61008P