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GA1206A152FXCBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/28 21:07:23 查看 閱讀�11

GA1206A152FXCBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)動和�(fù)載開�(guān)等場�。該芯片采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能等特�(diǎn),能夠滿足多種工�(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品的�(yīng)用需求�
  該型號屬于溝道增�(qiáng)型場效應(yīng)晶體管(MOSFET�,支持高頻開�(guān)操作,并且在�(shè)�(jì)上優(yōu)化了效率和可靠�。其封裝形式通常為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的小型表面貼裝類�,便于大�(guī)模自動化生產(chǎn)�

參數(shù)

類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電壓Vds�60V
  最大柵源電壓Vgs:�20V
  連續(xù)漏極電流Id�15A
  �(dǎo)通電阻Rds(on)�2.8mΩ
  柵極電荷Qg�39nC
  總電容Ciss�4270pF
  開關(guān)速度:快速開�(guān)
  工作溫度范圍�-55°C to +175°C
  封裝形式:TO-263 (D2PAK)

特�

GA1206A152FXCBR31G的主要特�(diǎn)是具備極低的�(dǎo)通電�,僅�2.8毫歐,這使得它非常適合于需要高效能�(zhuǎn)換的�(yīng)用場合。同�(shí),它的柵極電荷較小,能夠?qū)崿F(xiàn)快速開�(guān)動作,從而降低開�(guān)損��
  此外,該器件還具有強(qiáng)大的電流承載能力,連續(xù)漏極電流高達(dá)15安培,在高負(fù)載條件下依然保持�(wěn)定性能。并且,它的工作溫度范圍非常寬廣,從低溫-55攝氏度到高溫+175攝氏度均能正常運(yùn)行,適應(yīng)各種極端�(huán)境需��
  為了提高系統(tǒng)的可靠性和耐用�,此MOSFET采用�(jiān)固的�(shè)�(jì)�(jié)�(gòu),可有效抵御靜電放電(ESD)和其他瞬態(tài)干擾的影��

�(yīng)�

這款功率MOSFET適用于廣泛的電子�(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)動電�
  4. �(fù)載切換模�
  5. 電池保護(hù)系統(tǒng)
  6. 照明控制裝置
  由于其優(yōu)秀的電氣特性和�(jī)械穩(wěn)定�,GA1206A152FXCBR31G成為眾多工程師在�(shè)�(jì)高效、緊湊型功率�(zhuǎn)換解決方案時(shí)的理想選擇�

替代型號

IRFZ44N
  STP16NF06L
  FDP150N06A

ga1206a152fxcbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1500 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-