RSD080N06TL是一款N溝道功率MOSFET,屬于STMicroelectronics的MDmesh?技術產(chǎn)品系列。該器件采用TO-220封裝形式,具有低導通電阻和高電流處理能力的特點,適合用于開關電�、DC-DC轉換�、電機驅動等應用場合�
這款MOSFET通過�(yōu)化單元結構設�,實�(xiàn)了較低的導通損耗與開關損耗,從而提高效率并降低�(fā)�。此外,其具備較高的雪崩擊穿能量能力(EAS�,在短路或過載情況下能夠提供更高的可靠��
最大漏源電壓:60V
最大連續(xù)漏極電流�97A
導通電阻:1.8mΩ
柵極電荷�39nC
總電荷:52nC
輸入電容�2320pF
反向恢復時間�48ns
工作結溫范圍�-55� to +175�
RSD080N06TL采用了先進的MDmesh? DMOS技術,具備以下顯著特點�
1. 極低的導通電阻(RDS(on)),有助于減少傳導損�,并提升系統(tǒng)效率�
2. 較高的雪崩擊穿能量(EAS)值,增強了器件在異常情況下的耐受能力�
3. 低柵極電荷和輸出電荷,確??焖偾袚Q,從而降低開關損��
4. 可靠性高,適用于惡劣�(huán)境下的工�(yè)及汽車應��
5. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設��
RSD080N06TL廣泛應用于各種需要高效功率管理的場景�,包括但不限于以下領域:
1. 開關模式電源(SMPS�
2. DC-DC轉換�
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
4. 工業(yè)電機控制
5. 汽車電子中的負載開關和繼電器替代
6. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)
7. 太陽能逆變器和其他可再生能源應�
RSD180N06TL, RSD140N06TL