GA1206A122KXCBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載切換等�(yīng)用領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,在低導(dǎo)通電阻和高效率方面表�(xiàn)出色,同�(shí)具備良好的熱性能和可靠性�
這款器件通常用于要求高效�、小尺寸和高電流承載能力的場(chǎng)合,例如消費(fèi)電子、工�(yè)控制及汽車電子等�(lǐng)域�
型號(hào):GA1206A122KXCBR31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
Vds(漏源極電壓):60V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�1.5mΩ(典型�,Vgs=10V�
Id(連續(xù)漏極電流):120A
Ptot(總功耗)�180W
封裝形式:TO-247-3
工作溫度范圍�-55℃至+175�
柵極電荷�45nC(典型值)
輸入電容�2900pF
GA1206A122KXCBR31G具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠有效降低傳�(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率�
2. 高電流處理能力,支持高達(dá)120A的連續(xù)漏極電流,適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)��
3. 快速開�(guān)特性,有助于減少開�(guān)損�,并提高高頻操作下的性能�
4. �(qiáng)大的散熱�(shè)�(jì),確保在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定運(yùn)行�
5. 緊湊的封裝形�,方便布局并節(jié)省電路板空間�
6. 高可靠性和長壽�,適合各種嚴(yán)苛的工作條件�
7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的橋臂功率��
4. �(fù)載切換和保護(hù)電路�
5. 太陽能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)備�
6. 汽車電子系統(tǒng)的功率管理模��
7. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制單��
IRFP2907,
STP120N06,
FDP150N06L