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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > FGL40N150DTU

FGL40N150DTU 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/12/19 17:13:51 查看 閱讀�229

�(chǎn)品種�(lèi): IGBT 晶體�

目錄

概述

制造商: Fairchild Semiconductor
�(chǎn)品種�(lèi): IGBT 晶體�
封裝 / 箱體: TO-264
集電極—發(fā)射極最大電� VCEO: 1500 V
集電極—射極擊穿電�: 1500 V
集電極—射極飽和電�: 3.5 V
集電極最大連續(xù)電流 Ic: 40 A
柵極—射極漏泄電�: +/- 100 nA
功率耗散: 200 W
封裝: Tube
Part # Aliases: FGL40N150DTUNL

fgl40n150dtu推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

fgl40n150dtu參數(shù)

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • �(chǎn)品種�(lèi)IGBT 晶體�
  • 配置Single
  • 集電極—發(fā)射極最大電� VCEO1500 V
  • 集電極—射極飽和電�3.5 V
  • 柵極/�(fā)射極最大電�+/- 25 V
  • �25 C的連續(xù)集電極電�40 A
  • 柵極—射極漏泄電�+/- 100 nA
  • 功率耗散200 W
  • 最大工作溫�+ 150 C
  • 封裝 / 箱體TO-264-3
  • 封裝Tube
  • 集電極最大連續(xù)電流 Ic40 A
  • 最小工作溫�- 55 C
  • 安裝�(fēng)�Through Hole
  • 工廠包裝�(shù)�25
  • 零件�(hào)別名FGL40N150DTU_NL