�(chǎn)品種�(lèi): IGBT 晶體�
制造商: Fairchild Semiconductor
�(chǎn)品種�(lèi): IGBT 晶體�
封裝 / 箱體: TO-264
集電極—發(fā)射極最大電� VCEO: 1500 V
集電極—射極擊穿電�: 1500 V
集電極—射極飽和電�: 3.5 V
集電極最大連續(xù)電流 Ic: 40 A
柵極—射極漏泄電�: +/- 100 nA
功率耗散: 200 W
封裝: Tube
Part # Aliases: FGL40N150DTUNL