GA1206A120GBABT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開關(guān)等場(chǎng)景。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),適合需要高功率密度和低損耗的應(yīng)用環(huán)境。
其封裝形式為 TO-220,具有良好的散熱性能,能夠承受較高的電流和電壓。同時(shí),該器件支持快速開關(guān),有助于降低開關(guān)損耗并提升整體系統(tǒng)效率。
最大漏源電壓:120V
連續(xù)漏極電流:45A
導(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷:45nC
開關(guān)時(shí)間:10ns
工作溫度范圍:-55℃ 至 150℃
GA1206A120GBABT31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),可有效減少傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率。
2. 快速開關(guān)能力,使得該芯片在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
3. 高電流承載能力,確保在大功率應(yīng)用場(chǎng)景中的穩(wěn)定性。
4. 內(nèi)置過溫保護(hù)功能,進(jìn)一步提升了芯片的安全性和可靠性。
5. 采用標(biāo)準(zhǔn) TO-220 封裝,易于集成到各種電路設(shè)計(jì)中,并且具備優(yōu)秀的散熱性能。
6. 工作溫度范圍寬廣,適應(yīng)多種惡劣環(huán)境下的使用需求。
該芯片適用于多種電力電子領(lǐng)域,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 的主功率級(jí)開關(guān)。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流或高端開關(guān)。
3. 電動(dòng)工具及家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制。
4. 各類負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路設(shè)計(jì)。
5. 新能源領(lǐng)域,如太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)汽車充電設(shè)備中的功率管理部分。
IRFZ44N
STP45NF06L
FDP170N10AE
AOT290L