GA1206A102KBEBR31G 是一款高性能的功� MOSFET,主要用于需要高效率和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用場�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具備�(yōu)異的電氣特性和熱性能,適合在開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器以及其他電力電子�(yīng)用中使用�
該芯片屬于溝道型 MOSFET,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
型號(hào):GA1206A102KBEBR31G
類型:N-Channel MOSFET
Vds(漏源極電壓):60V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�2mΩ(典型�,在 Vgs=10V �(shí)�
Id(連續(xù)漏極電流):120A
Vgs(柵源電壓):�20V
Qg(總柵極電荷):57nC
EAS(雪崩能量)�8.5J
封裝形式:TO-247-3
工作溫度范圍�-55� to +175�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠顯著降低導(dǎo)通損��
2. 高電流處理能�,支持高�(dá) 120A 的連續(xù)漏極電流�
3. 快速開�(guān)特�,具備較小的柵極電荷,適用于高頻開關(guān)�(yīng)��
4. 具備良好的熱�(wěn)定性,能夠在高溫環(huán)境下長期�(yùn)��
5. �(nèi)� ESD 保護(hù)電路,提高了器件的可靠��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率開關(guān)�
3. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流管�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載開�(guān)�
5. 工業(yè)控制�(shè)備中的功率模塊�
6. 逆變器和太陽能轉(zhuǎn)換系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換元��
GA1206A101KBEBR31G, IRFP2907, FDP18N60