GA1206A680GXABP31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、電機驅(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器等高效率電力電子應用。該器件采用先進的溝槽式結(jié)�(gòu)�(shè)�,具有較低的導通電阻和�(yōu)異的熱性能,能夠在高頻工作條件下保持高效的能量�(zhuǎn)��
該型號屬于增強型N溝道MOSFET,通過�(yōu)化柵極電荷和輸出電容參數(shù),能夠有效降低開�(guān)損耗并提升整體系統(tǒng)效率�
類型:N溝道 MOSFET
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�68A
導通電阻:1.5mΩ(典型值,Vgs=10V�
柵極電荷�75nC
輸入電容�2000pF
總功耗:360W
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-247
GA1206A680GXABP31G的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻,有助于減少傳導損�,提高系�(tǒng)效率�
2. �(yōu)化的柵極電荷和開�(guān)速度,可顯著降低開關(guān)損��
3. 高電流處理能力,支持大功率應用場��
4. 采用D2PAK或TO-247封裝,具備良好的散熱性能�
5. 工作溫度范圍寬廣,適用于極端�(huán)境條件下的應��
6. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設(shè)計�
7. �(nèi)置反向二極管,支持同步整流功��
該型號廣泛應用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流器��
2. 電機�(qū)動電路,特別是大功率直流電機控制�
3. DC-DC�(zhuǎn)換器,如降壓、升壓及升降壓轉(zhuǎn)換器�
4. 太陽能逆變器和電池管理系統(tǒng)中的功率級控��
5. 電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)中的車載充電器與電機控制器�
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切換和功率�(diào)節(jié)�
GA1206A600GXAQP31G
IRFP2907
FDP6800N
STP68NF06