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GA0805Y224KBXBT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 13:56:28 查看 閱讀�5

GA0805Y224KBXBT31G 是一款基� GaN(氮化鎵)技�(shù)的功率晶體管,專為高頻和高效率應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),能夠顯著提高開�(guān)頻率并降低開�(guān)損�,適用于各種電源管理�(yīng)用,� DC-DC �(zhuǎn)換器、充電器和無(wú)線電源系�(tǒng)�
  GaN 技�(shù)的引入使得這款芯片在性能上超越傳�(tǒng)硅基 MOSFET,在小型化和高效化方面表�(xiàn)出色。其高電子遷移率和低�(dǎo)通電阻的特點(diǎn),使其成為現(xiàn)代電力電子設(shè)備的理想選擇�

參數(shù)

類型:增�(qiáng)� GaN HEMT
  最大漏源電壓:650 V
  �(dǎo)通電阻:22 mΩ
  最大漏極電流:5 A
  柵極電荷�45 nC
  反向恢復(fù)�(shí)間:�(wú)(由� GaN 的特性)
  封裝類型:LLGA-8

特�

GA0805Y224KBXBT31G 擁有卓越的高頻性能和低開關(guān)損�,這得益于氮化鎵材料本身的高電子遷移率和高擊穿�(chǎng)�(qiáng)�
  與傳�(tǒng)硅基 MOSFET 相比,它的開�(guān)速度更快,能有效減少電磁干擾,并且可以支持更高的工作頻率。此�,該芯片還具有非常低的寄生電�,從而�(jìn)一步提升了整體效率�
  它內(nèi)置了完整的保�(hù)功能,例如過(guò)流保�(hù)和短路保�(hù),確保在極端條件下仍能穩(wěn)定運(yùn)行。這種高可靠性使其非常適合工�(yè)�(jí)和消�(fèi)�(jí)�(yīng)�。此�,其緊湊的封裝形式有助于�(jiǎn)化電路板布局并節(jié)省空間�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)景中,包括但不限于:
  1. USB PD 充電器:支持快速充電協(xié)議,提供高效的電力傳��
  2. 適配器和電源模塊:用于筆記本電腦和其他電子設(shè)備的供電�
  3. �(wú)線充電器:實(shí)�(xiàn)更高效率的非接觸式能量傳遞�
  4. LED �(qū)�(dòng)器:為大功率 LED 照明系統(tǒng)提供�(wěn)定的電流輸出�
  5. �(shù)�(jù)中心電源供應(yīng):幫助降低散熱需求并提升整體效能�

替代型號(hào)

GAN063-650WSA
  Transphorm TP65H035WS
  EPC2036

ga0805y224kbxbt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.22 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" �(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-