GA0805Y224KBXBT31G 是一款基� GaN(氮化鎵)技�(shù)的功率晶體管,專為高頻和高效率應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),能夠顯著提高開�(guān)頻率并降低開�(guān)損�,適用于各種電源管理�(yīng)用,� DC-DC �(zhuǎn)換器、充電器和無(wú)線電源系�(tǒng)�
GaN 技�(shù)的引入使得這款芯片在性能上超越傳�(tǒng)硅基 MOSFET,在小型化和高效化方面表�(xiàn)出色。其高電子遷移率和低�(dǎo)通電阻的特點(diǎn),使其成為現(xiàn)代電力電子設(shè)備的理想選擇�
類型:增�(qiáng)� GaN HEMT
最大漏源電壓:650 V
�(dǎo)通電阻:22 mΩ
最大漏極電流:5 A
柵極電荷�45 nC
反向恢復(fù)�(shí)間:�(wú)(由� GaN 的特性)
封裝類型:LLGA-8
GA0805Y224KBXBT31G 擁有卓越的高頻性能和低開關(guān)損�,這得益于氮化鎵材料本身的高電子遷移率和高擊穿�(chǎng)�(qiáng)�
與傳�(tǒng)硅基 MOSFET 相比,它的開�(guān)速度更快,能有效減少電磁干擾,并且可以支持更高的工作頻率。此�,該芯片還具有非常低的寄生電�,從而�(jìn)一步提升了整體效率�
它內(nèi)置了完整的保�(hù)功能,例如過(guò)流保�(hù)和短路保�(hù),確保在極端條件下仍能穩(wěn)定運(yùn)行。這種高可靠性使其非常適合工�(yè)�(jí)和消�(fèi)�(jí)�(yīng)�。此�,其緊湊的封裝形式有助于�(jiǎn)化電路板布局并節(jié)省空間�
該芯片廣泛應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)景中,包括但不限于:
1. USB PD 充電器:支持快速充電協(xié)議,提供高效的電力傳��
2. 適配器和電源模塊:用于筆記本電腦和其他電子設(shè)備的供電�
3. �(wú)線充電器:實(shí)�(xiàn)更高效率的非接觸式能量傳遞�
4. LED �(qū)�(dòng)器:為大功率 LED 照明系統(tǒng)提供�(wěn)定的電流輸出�
5. �(shù)�(jù)中心電源供應(yīng):幫助降低散熱需求并提升整體效能�
GAN063-650WSA
Transphorm TP65H035WS
EPC2036