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GA0805H823MBXBT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/15 17:36:22 查看 閱讀�17

GA0805H823MBXBT31G 是一款由東芝(Toshiba)生�(chǎn)的功率半�(dǎo)體器�,屬� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)系列。該芯片廣泛�(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開�(guān)電路等領(lǐng)域。其主要特點(diǎn)是高效率、低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,適用于多種工業(yè)和消�(fèi)類電子設(shè)備�
  該型�(hào)采用 TO-263 封裝形式,能夠承受較高的電壓和電�,同�(shí)具備良好的熱性能和可靠性�

參數(shù)

類型:MOSFET
  封裝:TO-263
  最大漏源電�(Vdss)�80V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  最大漏極電�(Id)�50A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ
  總功�(Ptot)�170W
  工作溫度范圍(Ta)�-55°C � +175°C
  �(jié)�(Tj)�-55°C � +175°C

特�

GA0805H823MBXBT31G 具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于降低傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高電流承載能力,適合大功率應(yīng)用場(chǎng)��
  3. 快速開�(guān)速度,減少了開關(guān)損耗,提升了動(dòng)�(tài)性能�
  4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定性,在高溫環(huán)境下仍能保持�(wěn)定的性能�
  5. 集成保護(hù)功能(部分版本),如過流保護(hù)和短路保�(hù),增�(qiáng)系統(tǒng)的可靠��
  6. 寬廣的工作溫度范圍,適應(yīng)各種�(yán)苛環(huán)��

�(yīng)�

這款 MOSFET 芯片可廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (Switching Power Supply),如 AC/DC � DC/DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng) (Motor Drive),包括無刷直流電�(jī) (BLDC) 控制�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
  4. 汽車電子系統(tǒng),例如電池管理系�(tǒng) (BMS) 和電�(dòng)助力�(zhuǎn)向系�(tǒng) (EPS)�
  5. 大功� LED �(qū)�(dòng)電路�
  6. 通信�(shè)備中的高效功率轉(zhuǎn)換單元�

替代型號(hào)

IRFZ44N, FDP55N06L, STP55NF06L

ga0805h823mbxbt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.082 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-