GA0805H563KBABR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先進的制造工�,主要用于開�(guān)電源、電機驅(qū)�、逆變器等�(yīng)用領(lǐng)�。該器件具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和良好的熱性能,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和可靠性�
這款MOSFET為N溝道增強型場效應(yīng)晶體�,適用于需要高效能和快速切換的電子電路�(shè)�。其封裝形式和電氣特性使其非常適合于高頻DC-DC�(zhuǎn)換器和其他功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�56A
�(dǎo)通電阻:2.9mΩ
柵極電荷�78nC
總電容:2480pF
工作溫度范圍�-55℃至175�
GA0805H563KBABR31G具備以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,確保高效的功率傳輸�
2. 高速開�(guān)能力,減少開�(guān)損��
3. 出色的熱�(wěn)定性,適合高溫工作�(huán)��
4. 強大的抗靜電能力(ESD),提高器件可靠��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
6. 可靠的電氣性能,適用于多種工業(yè)級和消費級應(yīng)��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)�(shè)計中的主開關(guān)或同步整流元��
2. 各類電機�(qū)動系�(tǒng),例如直流無刷電�(BLDC)控制�
3. 汽車電子�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)和保護電��
4. 太陽能逆變器及儲能系統(tǒng)的功率管理模��
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)和轉(zhuǎn)換組��
6. 快速充電器及適配器中的高效功率開關(guān)元件�
GA0805H563KBABR21G, IRF540N, FDP5500NL