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GA0805H563KBABR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/29 21:22:34 查看 閱讀�15

GA0805H563KBABR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先進的制造工�,主要用于開�(guān)電源、電機驅(qū)�、逆變器等�(yīng)用領(lǐng)�。該器件具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和良好的熱性能,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和可靠性�
  這款MOSFET為N溝道增強型場效應(yīng)晶體�,適用于需要高效能和快速切換的電子電路�(shè)�。其封裝形式和電氣特性使其非常適合于高頻DC-DC�(zhuǎn)換器和其他功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�56A
  �(dǎo)通電阻:2.9mΩ
  柵極電荷�78nC
  總電容:2480pF
  工作溫度范圍�-55℃至175�

特�

GA0805H563KBABR31G具備以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,確保高效的功率傳輸�
  2. 高速開�(guān)能力,減少開�(guān)損��
  3. 出色的熱�(wěn)定性,適合高溫工作�(huán)��
  4. 強大的抗靜電能力(ESD),提高器件可靠��
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
  6. 可靠的電氣性能,適用于多種工業(yè)級和消費級應(yīng)��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)�(shè)計中的主開關(guān)或同步整流元��
  2. 各類電機�(qū)動系�(tǒng),例如直流無刷電�(BLDC)控制�
  3. 汽車電子�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)和保護電��
  4. 太陽能逆變器及儲能系統(tǒng)的功率管理模��
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)和轉(zhuǎn)換組��
  6. 快速充電器及適配器中的高效功率開關(guān)元件�

替代型號

GA0805H563KBABR21G, IRF540N, FDP5500NL

ga0805h563kbabr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.056 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-