IGA03N120H2是一款高性能的MOSFET功率晶體�,采用先進的制造工藝設(shè)計。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,適合用于高頻開�(guān)�(yīng)用中。其額定電壓�1200V,能夠承受較高的反向電壓,同時具備較低的柵極電荷,有助于提高系統(tǒng)的整體效率�
該型號廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、逆變器、電機驅(qū)動以及DC-DC�(zhuǎn)換器等場景中,可滿足多種工業(yè)和消費類電子�(chǎn)品的性能需求�
最大漏源電壓:1200V
連續(xù)漏極電流�3.0A
�(dǎo)通電阻(典型值)�250mΩ
柵極電荷�65nC
輸入電容�1800pF
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
1. 高擊穿電壓(1200V�,確保在高壓�(huán)境下的穩(wěn)定運��
2. 極低的導(dǎo)通電阻(250mΩ�,降低傳�(dǎo)損��
3. 快速開�(guān)能力,減少開�(guān)損耗并提升系統(tǒng)效率�
4. �(yōu)化的柵極電荷�(shè)�,簡化驅(qū)動電路設(shè)��
5. 寬工作溫度范圍(-55℃至+150℃),適用于惡劣的工作條件�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
2. 光伏逆變器及不間斷電源(UPS)的核心元件�
3. 工業(yè)電機�(qū)動控��
4. DC-DC�(zhuǎn)換器和PFC電路�
5. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場��
IGA04N120H2
STGW40H12MD
IRG4PC20UD