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時(shí)間：2025/5/22 15:49:39
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GA0805H561MBBBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先進(jìn)的制造工藝，主要用于高效率電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用。該器件具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能，能夠顯著提升系統(tǒng)的整體效率和可靠性。
該芯片屬于溝道增強(qiáng)型 MOSFET，適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、LED 驅(qū)動(dòng)器以及消費(fèi)類電子設(shè)備中的功率管理模塊。
型號(hào)：GA0805H561MBBBR31G
類型：N-Channel MOSFET
封裝形式：TO-252 (DPAK)
最大漏源電壓 Vds：40V
最大柵源電壓 Vgs：±20V
連續(xù)漏極電流 Id：80A
導(dǎo)通電阻 Rds(on)：1.5mΩ @ Vgs=10V
總功耗：27W
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
開關(guān)頻率：支持高達(dá) 1MHz
GA0805H561MBBBR31G 具有以下主要特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻（1.5mΩ），能夠在高電流條件下減少功率損耗。
2. 快速開關(guān)能力，支持高達(dá) 1MHz 的開關(guān)頻率，適合高頻應(yīng)用。
3. 提供出色的熱性能，確保在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
4. 高雪崩能量能力，增強(qiáng)系統(tǒng)在異常條件下的魯棒性。
5. 小型化封裝設(shè)計(jì)（TO-252），節(jié)省 PCB 空間。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且可靠。
7. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)功能，提高芯片的抗靜電能力。
GA0805H561MBBBR31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品，如筆記本電腦適配器、智能手機(jī)充電器。
3. LED 照明驅(qū)動(dòng)電路。
4. 電動(dòng)工具和小型家電的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
6. 太陽能逆變器和電池管理系統(tǒng)（BMS）。
