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NTDV20N06T4G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/29 17:19:32 查看 閱讀：8

NTDV20N06T4G是一款N溝道MOSFET功率晶體管，采用TO-252封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn)，適用于各種高效能的電源管理應(yīng)用。它主要被設(shè)計(jì)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)等場(chǎng)景，能夠有效降低系統(tǒng)功耗并提高整體效率。
　　該產(chǎn)品屬于超低Rds(on)系列，其出色的性能使其成為許多功率電子設(shè)備的理想選擇。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：20A
　　導(dǎo)通電阻：1.8mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　柵極電荷：13nC（典型值）
　　總電容：750pF（輸入電容）
　　工作溫度范圍：-55℃至+175℃
　　封裝形式：TO-252

特性

NTDV20N06T4G擁有非常低的導(dǎo)通電阻，這有助于減少導(dǎo)通損耗，從而提升系統(tǒng)的整體效率。同時(shí)，它的柵極電荷較低，使得驅(qū)動(dòng)更為簡(jiǎn)便，開(kāi)關(guān)速度更快。此外，該器件具備良好的熱穩(wěn)定性，在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定運(yùn)行。
　　由于采用了先進(jìn)的制造工藝，這款MOSFET在電氣特性和可靠性方面表現(xiàn)出色。它的耐熱能力較強(qiáng)，能夠在極端溫度條件下正常工作，非常適合工業(yè)級(jí)或汽車(chē)級(jí)應(yīng)用。

應(yīng)用

該器件可廣泛應(yīng)用于多種電力電子領(lǐng)域，例如：
　　1. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的主開(kāi)關(guān)管或同步整流管；
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率開(kāi)關(guān)；
　　3. 負(fù)載開(kāi)關(guān)，用于保護(hù)下游電路免受過(guò)流或其他異常情況的影響；
　　4. 各類(lèi)電源適配器和充電器的功率級(jí)開(kāi)關(guān)元件；
　　5. 開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)；
　　6. 工業(yè)自動(dòng)化控制設(shè)備中的功率輸出級(jí)。

替代型號(hào)

NTDM20N06T4G, IRFZ44N, FDP55N06L

ntdv20n06t4g推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢(xún)價(jià)

ntdv20n06t4g參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類(lèi)別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C20A
  • 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C46 毫歐 @ 10A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs30nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1015pF @ 25V
  • 功率 - 最大1.36W
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝DPAK-3
  • 包裝帶卷 (TR)