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GA0805H223MXXBP31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/6 13:51:21 查看 閱讀�5

GA0805H223MXXBP31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高效率和低損耗應用場景設�。該器件采用先進的制造工�,具有較低的導通電阻和快速開關特�,適合用于開關電�、DC-DC轉換器、電機驅動以及負載開關等應用領域�
  這款芯片具備良好的熱性能和電氣穩(wěn)定性,能夠在高頻開關條件下保持高效的能量轉�。其封裝形式�(jīng)過優(yōu)化,能夠有效降低寄生電感和電�,從而提升整體系�(tǒng)性能�

參數(shù)

類型:功� MOSFET
  工作電壓�60V
  連續(xù)漏極電流�94A
  導通電阻(最大值)�2.2mΩ
  柵極電荷�70nC
  開關速度:快�
  封裝形式:PAK31
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

GA0805H223MXXBP31G 具有以下顯著特點�
  1. 極低的導通電阻傳導損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 快速開關能力使得其非常適合高頻應用�(huán)�,減少開關損��
  3. �(yōu)化的封裝設計降低了寄生效應,提升了動�(tài)性能�
  4. 寬泛的工作溫度范� (-55°C � +175°C) 確保在極端條件下的可靠運行�
  5. 高額定電� (94A) 支持大功率負載需��
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代化電路設計��

應用

該芯片廣泛應用于以下領域�
  1. 開關電源 (SMPS),如筆記本適配器和工�(yè)電源�
  2. DC-DC 轉換器,包括降壓和升壓拓撲結��
  3. 電動工具和家用電器中的電機驅動�
  4. 電池管理系統(tǒng) (BMS),用于保護和管理鋰電池組�
  5. 各類負載開關和保護電�,確保系�(tǒng)的安全性和可靠��
  6. 汽車電子領域,例如啟動停止系�(tǒng)和輔助動力單元控��

替代型號

GA0805H223MXXAP31G, GA0805H225MXXBP31G

ga0805h223mxxbp31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.022 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-