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GA0805H223KBABR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 20:26:13 查看 閱讀�20

GA0805H223KBABR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開�(guān)等應(yīng)用領(lǐng)域�
  其封裝形式通常為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的小型化表面貼裝封裝,適合高密度電路板布局。此�,該器件還具備優(yōu)異的熱性能和電氣特�,能夠在廣泛的電壓和電流范圍�(nèi)保持�(wěn)定的性能�

參數(shù)

型號(hào):GA0805H223KBABR31G
  類型:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
  額定電壓(Vds):40V
  額定電流(Id):12A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型��25°C�
  柵極電荷(Qg):22nC(最大值)
  輸入電容(Ciss):1700pF(典型值)
  工作溫度范圍�-55°C�175°C
  封裝形式:LFPAK56E

特�

1. 低導(dǎo)通電阻確保高效能量轉(zhuǎn)�,減少發(fā)熱損��
  2. 高開�(guān)速度支持高頻操作,滿足現(xiàn)代電源設(shè)�(jì)需��
  3. 具備�(qiáng)大的抗浪涌能�,提高系�(tǒng)可靠��
  4. 小型化的封裝�(shè)�(jì)節(jié)省電路板空間,便于緊湊型�(chǎn)品開�(fā)�
  5. 支持寬廣的工作溫度范�,適�(yīng)惡劣�(huán)境下的使用需求�
  6. �(nèi)置保�(hù)功能,如過流保護(hù)和短路保�(hù),提升安全性�

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流器�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器及降�/升壓電路的核心元��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
  4. �(fù)載開�(guān)和電池保�(hù)電路�
  5. 汽車電子�(shè)備中的電源管理和信號(hào)切換�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化控制和通信電源解決方案�

替代型號(hào)

GA0805H222KBABR31G
  IRF7759
  AO3400

ga0805h223kbabr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.022 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-