GA0805H223KBABR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開�(guān)等應(yīng)用領(lǐng)域�
其封裝形式通常為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的小型化表面貼裝封裝,適合高密度電路板布局。此�,該器件還具備優(yōu)異的熱性能和電氣特�,能夠在廣泛的電壓和電流范圍�(nèi)保持�(wěn)定的性能�
型號(hào):GA0805H223KBABR31G
類型:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
額定電壓(Vds):40V
額定電流(Id):12A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型��25°C�
柵極電荷(Qg):22nC(最大值)
輸入電容(Ciss):1700pF(典型值)
工作溫度范圍�-55°C�175°C
封裝形式:LFPAK56E
1. 低導(dǎo)通電阻確保高效能量轉(zhuǎn)�,減少發(fā)熱損��
2. 高開�(guān)速度支持高頻操作,滿足現(xiàn)代電源設(shè)�(jì)需��
3. 具備�(qiáng)大的抗浪涌能�,提高系�(tǒng)可靠��
4. 小型化的封裝�(shè)�(jì)節(jié)省電路板空間,便于緊湊型�(chǎn)品開�(fā)�
5. 支持寬廣的工作溫度范�,適�(yīng)惡劣�(huán)境下的使用需求�
6. �(nèi)置保�(hù)功能,如過流保護(hù)和短路保�(hù),提升安全性�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流器�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器及降�/升壓電路的核心元��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
4. �(fù)載開�(guān)和電池保�(hù)電路�
5. 汽車電子�(shè)備中的電源管理和信號(hào)切換�
6. 工業(yè)自動(dòng)化控制和通信電源解決方案�
GA0805H222KBABR31G
IRF7759
AO3400