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FQB5N90TM++SLH9N90C+SLW9N90C 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 12:31:55 查看 閱讀�27

FQB5N90TM概述

FQB5N90TM是英飛凌(Infineon)推出的N溝道增強型MOSFET,采用TO-263-2封裝形式。該器件具有低導通電阻和高開關速度的特點,適合用于開關電源、DC-DC轉換器、電機驅動等應用��
  其額定電壓為900V,能夠滿足高壓應用需�,同時具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠��

FQB5N90TM參數(shù)

最大漏源電壓:900V
  連續(xù)漏極電流�1.18A
  導通電阻(典型值)�4.5Ω
  柵極電荷�12nC
  開關時間:ton=75ns,toff=55ns

FQB5N90TM特�

FQB5N90TM采用了CoolMOS技�,有效降低了導通損耗和開關損��
  其具備較高的雪崩擊穿能力和較低的反向恢復電荷,從而提高了系統(tǒng)效率和穩(wěn)定��
  此外,該器件還具有出色的熱性能,便于散熱設�,適用于工業(yè)及消費類電子領域�

FQB5N90TM應用

開關電源(SMPS�
  DC-DC轉換�
  電機驅動與控�
  逆變�
  家電�(chǎn)品中的高壓切換電�

SLH9N90C概述

SLH9N90C是由STMicroelectronics生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET,采用DPAK(TO-252)封裝。它具有900V的額定漏源電壓以�1.2A的連續(xù)漏極電流能力,適用于多種高壓功率轉換場景�
  此器件優(yōu)化了動態(tài)性能和靜�(tài)性能之間的平�,可減少能量損失并提高整體效��

SLH9N90C參數(shù)

最大漏源電壓:900V
  連續(xù)漏極電流�1.2A
  導通電阻(典型值)�3.5Ω
  柵極電荷�12.5nC
  開關時間:ton=70ns,toff=50ns

SLH9N90C特�

SLH9N90C采用了MDmesh技�,顯著改善了單位面積上的導通電阻和總柵極電��
  該器件支持快速開關操作,并且在硬開關條件下表�(xiàn)出色�
  其具備低反向恢復電荷的體二極�,有助于降低電磁干擾和開關噪��
  此外,它的高溫性能�(yōu)�,工作結溫范圍可�-55°C�+175°C�

SLH9N90C應用

開關模式電源(SMPS�
  工業(yè)控制系統(tǒng)中的功率�
  照明設備
  家用電器中的高壓電路
  電池充電�

SLW9N90C概述

SLW9N90C同樣是STMicroelectronics的產(chǎn)品線中的一�,屬于N溝道功率MOSFET系列,采用TO-220封裝形式。這款器件也具�900V的額定耐壓值和1.2A的最大連續(xù)漏極電流,主要面向高壓功率轉換應��
  相比SLH9N90C,SLW9N90C更適合需要更大散熱空間的應用場景�

SLW9N90C參數(shù)

最大漏源電壓:900V
  連續(xù)漏極電流�1.2A
  導通電阻(典型值)�3.5Ω
  柵極電荷�12.5nC
  開關時間:ton=70ns,toff=50ns

SLW9N90C特�


延續(xù)了ST的MDmesh技術優(yōu)�,提供了更低的導通損耗和更優(yōu)的熱性能�

  其大尺寸封裝設計增強了散熱能�,適合更高功率密度的需求�
  此外,該器件在高溫環(huán)境下依然能保持穩(wěn)定的電氣性能,非常適合工�(yè)及汽車領域的嚴苛應用�(huán)��

SLW9N90C應用

工業(yè)電機驅動
  開關電源(SMPS�
  太陽能逆變�
  電動工具
  汽車電子