GA0805H123MXBBC31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)動等�(yīng)用領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能,能夠有效提升系�(tǒng)效率并降低功��
其封裝形式為TO-252(DPAK�,適合表面貼裝技�(shù)(SMT),從而簡化了生產(chǎn)工藝并提高了可靠��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�5A
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ
柵極電荷�15nC
開關(guān)速度�20ns
工作溫度范圍�-55℃至+175�
GA0805H123MXBBC31G具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)能力,支持高頻應(yīng)�,減少了磁性元件的體積和成��
3. �(yōu)秀的熱�(wěn)定性,能夠在高溫環(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)��
4. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)了芯片的抗靜電能��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
這款功率MOSFET廣泛�(yīng)用于各類電力電子�(shè)備中,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)動電�
4. LED照明�(qū)�
5. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)
6. 工業(yè)控制及自動化�(shè)備中的功率管理模�
IRF540N
AO3400
FDP5500