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FDS4435BZ 發(fā)布時間 時間�2024/6/4 16:05:41 查看 閱讀�509

FDS4435BZ是一款功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)器件。它是一款N溝道MOSFET,設(shè)計用于高端應(yīng)用中的低電壓和低電流開關(guān)�
  FDS4435BZ采用了先進的鋁氮化物/氧化硅堆棧工�,以提供低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度。它具有低閾值電壓和低輸入電�,適用于低電壓電路中的高效能�(yīng)��
  該器件的主要特點包括最大漏極電流為23安培,最大漏�-源極電壓�30�,導(dǎo)通電阻為0.012歐姆,輸入電容為150皮法,以及開�(guān)時間�10納秒�
  FDS4435BZ還具有超低的功耗和高可靠性,適用于電池供電和便攜式設(shè)備等�(yīng)�。它還可以用于電源管�、DC-DC�(zhuǎn)換器、電池充放電控制等領(lǐng)��
  此外,F(xiàn)DS4435BZ還采用了�(huán)保材料和無鉛封裝,符合RoHS(限制有害物�(zhì))要�,適合環(huán)保應(yīng)��

參數(shù)與指�(biāo)

額定電壓�30V
  額定電流�12A
  �(dǎo)通電阻:23mΩ(最大值)
  開關(guān)時間�5.7ns(最大值)
  典型輸入電容�1575pF
  額定功率�138W

組成�(jié)�(gòu)

FDS4435BZ由N溝道和P溝道MOSFET組成。它的引腳包括源極(S�、柵極(G)和漏極(D)�

工作原理

FDS4435BZ是一種增強型MOSFET,其工作原理基于柵極電壓的變化來控制漏極和源極之間的電流。當(dāng)柵極電壓高于溝道閾值電壓時,通道打開,電流可以從漏極流向源極。當(dāng)柵極電壓低于溝道閾值電壓時,通道�(guān)�,電流無法通過�

技�(shù)要點

高額定電壓和電流能力
  低導(dǎo)通電�,減小功�
  快速的開關(guān)速度,減小開�(guān)損�
  低輸入電容,提高開關(guān)速度
  高溫性能良好

�(shè)計流�

FDS4435BZ的設(shè)計流程包括以下步驟:
  根據(jù)要求選擇合適的MOSFET器件,如額定電壓、電流等�
  根據(jù)電路需求確定合適的�(qū)動電路和保護電路�
  進行電路仿真和優(yōu)�,確保電路性能滿足需求�
  進行PCB�(shè)計和布局,注意散熱和電磁干擾等問��
  制作樣品并進行測試和驗��
  進行量產(chǎn)和質(zhì)量控��

常見故障及預(yù)防措�

常見故障包括過熱、過電流、過壓等。為了預(yù)防這些故障,可以采取以下措施:
  合理�(shè)計散熱系�(tǒng),確保器件在額定工作溫度范圍�(nèi)�
  添加過電流和過壓保護電路,如保險�、電流限制器、過壓保護電路等�
  �(yán)格控制電路參�(shù),確保不超過器件的額定��
  定期進行�(shè)備維護和檢查,及時發(fā)�(xiàn)和修�(fù)潛在問題�

fds4435bz推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
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fds4435bz參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerTrench®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C8.8A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 毫歐 @ 8.8A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs40nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1845pF @ 15V
  • 功率 - 最�1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDS4435BZTR