GA0805H123MBBBR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率晶體管,廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及�(wú)線充電等�(chǎng)�。該器件采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),具有高開關(guān)頻率、低�(dǎo)通電阻和高效率等特點(diǎn)�
其設(shè)�(jì)特別適合于需要高性能和小型化的應(yīng)用場(chǎng)�,能夠顯著提升系�(tǒng)的功率密度并降低熱損��
型號(hào):GA0805H123MBBBR31G
類型:GaN 功率晶體�
最大漏源電�(Vds)�650 V
最大柵源電�(Vgs):�20 V
連續(xù)漏極電流(Id)�8 A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�120 mΩ
輸入電容(Ciss)�1440 pF
輸出電容(Coss)�90 pF
反向傳輸電容(Crss)�25 pF
最大工作結(jié)溫:175 °C
封裝形式:TO-247-4L
GA0805H123MBBBR31G 具備以下主要特性:
1. 采用增強(qiáng)型氮化鎵(e-mode GaN)技�(shù),提供卓越的高頻性能和低開關(guān)損��
2. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少傳�(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
3. 高擊穿電� (650V),使其適用于多種高壓�(yīng)用場(chǎng)景�
4. 封裝具備四引腳結(jié)�(gòu),便于優(yōu)化PCB布局并改善散熱性能�
5. �(nèi)置保�(hù)�(jī)�,可有效防止�(guò)壓和短路等異常情��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),確保環(huán)保要求�
該芯片的主要�(yīng)用領(lǐng)域包括:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的PFC(功率因�(shù)校正)電��
2. 高效DC-DC�(zhuǎn)換器,例如電�(dòng)汽車充電樁中的功率模塊�
3. 快速充電適配器�(shè)�(jì),以�(shí)�(xiàn)更小尺寸和更高功率密度�
4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)控制和太�(yáng)能逆變��
5. �(wú)線充電發(fā)射端及接收端�(shè)��
6. 其他任何需要高效率、高開關(guān)速度的電力電子系�(tǒng)�
GA0805H125MBBBR31G
GA0805H130MBBBR31G
GAN065R120PA