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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA0805H123MBBBR31G

GA0805H123MBBBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 18:24:59 查看 閱讀�7

GA0805H123MBBBR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率晶體管,廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及�(wú)線充電等�(chǎng)�。該器件采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),具有高開關(guān)頻率、低�(dǎo)通電阻和高效率等特點(diǎn)�
  其設(shè)�(jì)特別適合于需要高性能和小型化的應(yīng)用場(chǎng)�,能夠顯著提升系�(tǒng)的功率密度并降低熱損��

參數(shù)

型號(hào):GA0805H123MBBBR31G
  類型:GaN 功率晶體�
  最大漏源電�(Vds)�650 V
  最大柵源電�(Vgs):�20 V
  連續(xù)漏極電流(Id)�8 A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�120 mΩ
  輸入電容(Ciss)�1440 pF
  輸出電容(Coss)�90 pF
  反向傳輸電容(Crss)�25 pF
  最大工作結(jié)溫:175 °C
  封裝形式:TO-247-4L

特�

GA0805H123MBBBR31G 具備以下主要特性:
  1. 采用增強(qiáng)型氮化鎵(e-mode GaN)技�(shù),提供卓越的高頻性能和低開關(guān)損��
  2. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少傳�(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
  3. 高擊穿電� (650V),使其適用于多種高壓�(yīng)用場(chǎng)景�
  4. 封裝具備四引腳結(jié)�(gòu),便于優(yōu)化PCB布局并改善散熱性能�
  5. �(nèi)置保�(hù)�(jī)�,可有效防止�(guò)壓和短路等異常情��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),確保環(huán)保要求�

�(yīng)�

該芯片的主要�(yīng)用領(lǐng)域包括:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的PFC(功率因�(shù)校正)電��
  2. 高效DC-DC�(zhuǎn)換器,例如電�(dòng)汽車充電樁中的功率模塊�
  3. 快速充電適配器�(shè)�(jì),以�(shí)�(xiàn)更小尺寸和更高功率密度�
  4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)控制和太�(yáng)能逆變��
  5. �(wú)線充電發(fā)射端及接收端�(shè)��
  6. 其他任何需要高效率、高開關(guān)速度的電力電子系�(tǒng)�

替代型號(hào)

GA0805H125MBBBR31G
  GA0805H130MBBBR31G
  GAN065R120PA

ga0805h123mbbbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.012 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" �(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-