GA0805H122MXXBP31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率管理的�(chǎng)�。該芯片采用了先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
這款芯片屬于溝道� MOSFET,主要針�(duì)工業(yè)和汽車應(yīng)用設(shè)�(jì),具備優(yōu)異的熱性能和電氣穩(wěn)定性,確保在惡劣環(huán)境下也能可靠工作�
類型:MOSFET
封裝:TO-263
VDS(漏源電壓)�60V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�4.5mΩ
ID(持�(xù)漏電流)�70A
Qg(柵極電荷)�55nC
fT(截止頻率)�2.3MHz
VGS(th)(閾值電壓)�2.5V
Tj(結(jié)溫范圍)�-55� � +175�
GA0805H122MXXBP31G 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電� RDS(on),有效減少導(dǎo)通損��
2. 高速開�(guān)性能,支持高頻應(yīng)��
3. 較低的柵極電� Qg,有助于提高整體效率�
4. 寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)各種�(yán)苛環(huán)境�
5. 符合 AEC-Q101 �(biāo)�(zhǔn),適合汽車級(jí)�(yīng)用�
6. 具備�(qiáng)大的雪崩能力� ESD 防護(hù)性能,增�(qiáng)了器件的魯棒��
7. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)� PCB 空間�
該芯片適用于多種電力電子�(lǐng)�,包括但不限于以下應(yīng)用:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流管�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率開關(guān)�
4. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切��
5. 工業(yè)�(shè)備中的功率控制模塊�
6. 太陽能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)��
7. 各種保護(hù)電路中的快速響�(yīng)元件�
GA0805H122MXXBP31G-A, GA0805H122MXXBP31G-B