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GA0805H122MXXBP31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 13:54:18 查看 閱讀�4

GA0805H122MXXBP31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率管理的�(chǎng)�。該芯片采用了先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  這款芯片屬于溝道� MOSFET,主要針�(duì)工業(yè)和汽車應(yīng)用設(shè)�(jì),具備優(yōu)異的熱性能和電氣穩(wěn)定性,確保在惡劣環(huán)境下也能可靠工作�

參數(shù)

類型:MOSFET
  封裝:TO-263
  VDS(漏源電壓)�60V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�4.5mΩ
  ID(持�(xù)漏電流)�70A
  Qg(柵極電荷)�55nC
  fT(截止頻率)�2.3MHz
  VGS(th)(閾值電壓)�2.5V
  Tj(結(jié)溫范圍)�-55� � +175�

特�

GA0805H122MXXBP31G 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電� RDS(on),有效減少導(dǎo)通損��
  2. 高速開�(guān)性能,支持高頻應(yīng)��
  3. 較低的柵極電� Qg,有助于提高整體效率�
  4. 寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)各種�(yán)苛環(huán)境�
  5. 符合 AEC-Q101 �(biāo)�(zhǔn),適合汽車級(jí)�(yīng)用�
  6. 具備�(qiáng)大的雪崩能力� ESD 防護(hù)性能,增�(qiáng)了器件的魯棒��
  7. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)� PCB 空間�

�(yīng)�

該芯片適用于多種電力電子�(lǐng)�,包括但不限于以下應(yīng)用:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流管�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率開關(guān)�
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切��
  5. 工業(yè)�(shè)備中的功率控制模塊�
  6. 太陽能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)��
  7. 各種保護(hù)電路中的快速響�(yīng)元件�

替代型號(hào)

GA0805H122MXXBP31G-A, GA0805H122MXXBP31G-B

ga0805h122mxxbp31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1200 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" �(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-