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GA0805H122MBBBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 12:04:54 查看 閱讀�11

GA0805H122MBBBR31G 是一款由日本廠商羅姆(ROHM)生�(chǎn)的功率半�(dǎo)體器�,具體為一種用于高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用的 MOSFET 芯片。該芯片基于先�(jìn)的溝槽式技�(shù)制造,具備低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適用于高效能電源轉(zhuǎn)�、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)��
  這款 MOSFET 采用 TO-263-3 封裝形式,適合表面貼裝工藝,其設(shè)�(jì)目標(biāo)是為工業(yè)�(shè)備和消費(fèi)電子�(lǐng)域提供高效率和高可靠性的解決方案�

參數(shù)

型號(hào):GA0805H122MBBBR31G
  品牌:ROHM
  �(lèi)型:N-Channel MOSFET
  Vds(漏源極電壓):80V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�4.5mΩ(典型值,@ Vgs=10V�
  Id(連續(xù)漏極電流):58A
  Qg(柵極電荷)�7nC(典型值)
  EAS(雪崩能量)�32.5mJ
  封裝:TO-263-3(D2PAK�
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

GA0805H122MBBBR31G 的主要特�(diǎn)是其出色的電氣性能與可靠�。它采用� ROHM 先�(jìn)� MOSFET 制造工�,從而實(shí)�(xiàn)了低�(dǎo)通電阻(4.5mΩ�,這有助于降低功率損耗并提高整體系統(tǒng)效率。此�,其快速開(kāi)�(guān)特性和低柵極電荷使得它非常適合高頻�(yīng)�,能夠顯著減少開(kāi)�(guān)損��
  在熱管理方面,該器件具有較高的結(jié)溫耐受能力(最高可�(dá) 175°C),確保了即使在惡劣的工作條件下也能�(wěn)定運(yùn)�。同�(shí),其良好的雪崩耐量(EAS)�(jìn)一步增�(qiáng)了器件的魯棒�,使其能夠在異常情況或負(fù)載突變時(shí)保持正常工作�
  最�,由于采用了 D2PAK 表面貼裝封裝,該�(chǎn)品不僅易于集成到�(xiàn)� PCB �(shè)�(jì)�,還能通過(guò)高效的散熱路徑支持大功率操作�

�(yīng)�

GA0805H122MBBBR31G 廣泛�(yīng)用于需要高性能功率�(kāi)�(guān)的場(chǎng)�,例如:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)元件�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流 MOSFET 或高�(cè)�(kāi)�(guān)�
  3. 工業(yè)用電�(jī)�(qū)�(dòng)電路,如伺服控制器和逆變器模��
  4. 電動(dòng)�(chē)充電站和電池管理系統(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換部分�
  5. 各類(lèi)消費(fèi)電子�(chǎn)品中的電源管理和�(fù)載切換功��
  其優(yōu)異的效率表現(xiàn)和寬廣的電壓/電流處理能力,使其成為這些�(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

GA0805H122MBB3R31G

ga0805h122mbbbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1200 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" �(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-