GA0805H122MBBBR31G 是一款由日本廠商羅姆(ROHM)生�(chǎn)的功率半�(dǎo)體器�,具體為一種用于高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用的 MOSFET 芯片。該芯片基于先�(jìn)的溝槽式技�(shù)制造,具備低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適用于高效能電源轉(zhuǎn)�、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)��
這款 MOSFET 采用 TO-263-3 封裝形式,適合表面貼裝工藝,其設(shè)�(jì)目標(biāo)是為工業(yè)�(shè)備和消費(fèi)電子�(lǐng)域提供高效率和高可靠性的解決方案�
型號(hào):GA0805H122MBBBR31G
品牌:ROHM
�(lèi)型:N-Channel MOSFET
Vds(漏源極電壓):80V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�4.5mΩ(典型值,@ Vgs=10V�
Id(連續(xù)漏極電流):58A
Qg(柵極電荷)�7nC(典型值)
EAS(雪崩能量)�32.5mJ
封裝:TO-263-3(D2PAK�
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
GA0805H122MBBBR31G 的主要特�(diǎn)是其出色的電氣性能與可靠�。它采用� ROHM 先�(jìn)� MOSFET 制造工�,從而實(shí)�(xiàn)了低�(dǎo)通電阻(4.5mΩ�,這有助于降低功率損耗并提高整體系統(tǒng)效率。此�,其快速開(kāi)�(guān)特性和低柵極電荷使得它非常適合高頻�(yīng)�,能夠顯著減少開(kāi)�(guān)損��
在熱管理方面,該器件具有較高的結(jié)溫耐受能力(最高可�(dá) 175°C),確保了即使在惡劣的工作條件下也能�(wěn)定運(yùn)�。同�(shí),其良好的雪崩耐量(EAS)�(jìn)一步增�(qiáng)了器件的魯棒�,使其能夠在異常情況或負(fù)載突變時(shí)保持正常工作�
最�,由于采用了 D2PAK 表面貼裝封裝,該�(chǎn)品不僅易于集成到�(xiàn)� PCB �(shè)�(jì)�,還能通過(guò)高效的散熱路徑支持大功率操作�
GA0805H122MBBBR31G 廣泛�(yīng)用于需要高性能功率�(kāi)�(guān)的場(chǎng)�,例如:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)元件�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流 MOSFET 或高�(cè)�(kāi)�(guān)�
3. 工業(yè)用電�(jī)�(qū)�(dòng)電路,如伺服控制器和逆變器模��
4. 電動(dòng)�(chē)充電站和電池管理系統(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換部分�
5. 各類(lèi)消費(fèi)電子�(chǎn)品中的電源管理和�(fù)載切換功��
其優(yōu)異的效率表現(xiàn)和寬廣的電壓/電流處理能力,使其成為這些�(yīng)用的理想選擇�
GA0805H122MBB3R31G