GA1210Y123KXLAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,適用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動和 DC-DC 轉(zhuǎn)換等應(yīng)用領(lǐng)域。該器件采用了先進(jìn)的溝槽式 MOSFET 技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn),能夠顯著提高系統(tǒng)效率并降低功耗。
該型號具體為 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET,支持高頻工作環(huán)境,并在高溫條件下表現(xiàn)出良好的穩(wěn)定性。
最大漏源電壓:120V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流:10A
導(dǎo)通電阻(典型值):12mΩ
柵極電荷:35nC
開關(guān)速度:10ns
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
1. 低導(dǎo)通電阻,有效減少功率損耗。
2. 高速開關(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場合。
3. 強(qiáng)化的熱穩(wěn)定性,確保在極端溫度下的可靠運(yùn)行。
4. 小型化封裝設(shè)計(jì),節(jié)省 PCB 空間。
5. 具備優(yōu)異的雪崩能力和抗靜電能力,提升整體可靠性。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且安全。
1. 開關(guān)電源中的功率開關(guān)元件。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器的核心功率器件。
3. 電機(jī)驅(qū)動控制電路中的驅(qū)動開關(guān)。
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切換。
5. 電池管理系統(tǒng)中的保護(hù)開關(guān)。
6. 可用于逆變器及 UPS 系統(tǒng)。
IRFZ44N
FDP150N10SBD
AOT290L