GA0805A271KXCBP31G 是一款基� GaN(氮化鎵)技�(shù)的功率晶體管,屬于高效能�(kāi)�(guān)器件。該型號(hào)通常用于高頻、高效率的電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)景,例如 DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變器以及快速充電器�。與傳統(tǒng)硅基 MOSFET 相比,它具有更低的導(dǎo)通電�、更快的�(kāi)�(guān)速度和更高的工作頻率,從而能夠顯著提升系�(tǒng)的整體效率并減小系統(tǒng)尺寸�
GaN 技�(shù)以其卓越的性能逐漸成為�(xiàn)代電力電子領(lǐng)域的首選解決方案,尤其在需要高性能、高密度�(shè)�(jì)的應(yīng)用中表現(xiàn)突出�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�4A
�(dǎo)通電阻:0.2Ω
柵極電荷�30nC
反向恢復(fù)�(shí)間:10ns
工作溫度范圍�-55� � +150�
GA0805A271KXCBP31G 的主要特性包括:
1. 高擊穿電壓:支持高達(dá) 600V 的漏源電�,適用于高壓�(yīng)用場(chǎng)��
2. 極低的導(dǎo)通電阻:� 0.2Ω,有助于減少�(dǎo)通損�,提高效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)性能:具備極低的柵極電荷和反向恢�(fù)�(shí)�,適合高頻操作�
4. 高溫�(wěn)定性:能夠� -55� � +150� 的寬溫范圍內(nèi)�(wěn)定運(yùn)��
5. 小型化封裝:采用先�(jìn)的封裝技�(shù),體積更�,便于緊湊設(shè)�(jì)�
6. 熱性能�(yōu)異:高效的熱傳導(dǎo)能力確保�(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行中的可靠性�
這些特性使� GA0805A271KXCBP31G 在高頻電源轉(zhuǎn)�、無(wú)線充�、電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)域表�(xiàn)出色�
GA0805A271KXCBP31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 快速充電器:利用其高頻和高效特�,實(shí)�(xiàn)更小體積、更高功率密度的�(shè)�(jì)�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器:適用于工業(yè)�(jí)或汽�(chē)�(jí)� DC-DC �(zhuǎn)換模�,提供更高的�(zhuǎn)換效��
3. 逆變器:用于太陽(yáng)能逆變�、UPS 系統(tǒng)等,降低能量損��
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng):在電動(dòng)工具、家用電器等�(yīng)用中,提供高效的功率控制�
5. �(wú)線充電:滿足新一代無(wú)線充電設(shè)備對(duì)高頻、高效的需��
總之,這款芯片非常適合需要高效率、高功率密度和高可靠性的�(yīng)用場(chǎng)��
GA0805A271KXCWBP31G
GA0805A271KXCQBP31G
GA0805A271KXDBP31G