GA0805A222GXABR31G 是一款高性能的模擬開�(guān)芯片,屬� GaAs 工藝制造的射頻開關(guān)系列。該器件主要用于射頻和微波信號切換應(yīng)�,支持高頻信號傳�,具有低插入損�、高隔離度和�(yōu)異的線性度等特�。其�(shè)�(jì)旨在滿足通信系統(tǒng)中對高性能射頻開關(guān)的需求,廣泛�(yīng)用于無線基礎(chǔ)�(shè)�、測試測量設(shè)備以及國防雷�(dá)等領(lǐng)��
該型號是基于 PIN 二極管技�(shù)開發(fā)的單刀雙擲(SPDT)射頻開�(guān),能夠處理高�(dá) 18GHz 的頻率范�,同�(shí)提供�(wěn)定的電氣性能�
類型:SPDT 射頻開關(guān)
工作頻率:DC � 18 GHz
插入損耗:�0.6 dB(典型值)
隔離度:�40 dB(典型值)
VSWR:≤1.3:1
輸入功率�+30 dBm(典型值)
供電電壓�+5V
靜態(tài)電流:≤10 mA
封裝形式:QFN-16
GA0805A222GXABR31G 提供了卓越的射頻性能,能夠在寬頻帶范圍內(nèi)保持低插入損耗和高隔離度。其 GaAs 工藝確保了低功耗和高可靠�,使其非常適合需要長�(shí)間穩(wěn)定工作的場景。此�,該芯片�(nèi)置了控制邏輯電路,簡化了與外部控制器的接口設(shè)�(jì)�
此芯片還具備出色的線性度表現(xiàn),可有效減少諧波失真,適用于對信號完整性要求較高的�(yīng)用。同�(shí),其小型化的 QFN 封裝有助于節(jié)� PCB 空間,�(jìn)一步提升系�(tǒng)的集成度�
在極端環(huán)境條件下,GA0805A222GXABR31G 能夠承受較大的溫度變化范�,并保持�(wěn)定的電氣性能,從而為�(guān)鍵任�(wù)型應(yīng)用提供了可靠保障�
GA0805A222GXABR31G 廣泛�(yīng)用于各種射頻和微波系�(tǒng)中,包括但不限于�
- 無線通信基站中的收發(fā)信機(jī)切換
- �(wèi)星通信系統(tǒng)的多路復(fù)�
- 雷達(dá)系統(tǒng)的信號路徑選�
- 測試測量儀器中的射頻信號路�
- �(yī)療成像設(shè)備中的高頻信號控�
- 寬帶�(wǎng)�(luò)基礎(chǔ)�(shè)施中的信號分配與管理
由于其高頻能力和�(wěn)定�,這款芯片也常被用于航空航天領(lǐng)域的�(fù)雜電子系�(tǒng)��
GA0805A221GXABR31G
GA0805A223GXABR31G
SKY13342-375LF
HMC374LP4E