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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IXBN75N170A

IXBN75N170A 發(fā)布時間 時間�2023/3/7 15:28:21 查看 閱讀�400

    制造商: IXYS

    封裝 / 箱體: SOT-227B

    集電極—發(fā)射極最大電� VCEO: 1700 V

  

目錄

概述

    制造商: IXYS

    封裝 / 箱體: SOT-227B

    集電極—發(fā)射極最大電� VCEO: 1700 V

    柵極/�(fā)射極最大電�: +/- 20 V

    集電極最大連續(xù)電流 Ic: 75 A

    封裝: Tube

    配置: Single

    最大工作溫�: + 150 C

    最小工作溫�: - 55 C

    安裝風格: Screw


資料

廠商
IXYS

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ixbn75n170a參數(shù)

  • 標準包裝10
  • 類別半導體模�
  • 家庭IGBT
  • 系列BIMOSFET™
  • IGBT 類型-
  • 配置單一
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)1700V
  • Vge, Ic時的最大Vce(開�6V @ 15V�42A
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)75A
  • 電流 - 集電極截止(最大)50µA
  • Vce 時的輸入電容 (Cies)7.4nF @ 25V
  • 功率 - 最�625W
  • 輸入標準�
  • NTC 熱敏電阻
  • 安裝類型底座安裝
  • 封裝/外殼SOT-227-4,miniBLOC
  • 供應商設備封�SOT-227B