GA0805A180FBABR31G是一款由東芝(Toshiba)生產(chǎn)的功率MOSFET芯片,屬于U-MOS IX系列。該系列以其低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和卓越的性能而聞名。這款芯片通常用于各種高效能應(yīng)用中,例如電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電源轉(zhuǎn)換等場(chǎng)景。
該芯片采用D-PAK(TO-252)封裝形式,具有良好的散熱特性和機(jī)械強(qiáng)度,適合表面貼裝工藝,能夠滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對(duì)小型化和高性能的需求。
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流:41A
導(dǎo)通電阻(典型值,Vgs=10V):1.8mΩ
總功耗:17W
工作溫度范圍:-55℃至175℃
封裝類型:D-PAK(TO-252)
GA0805A180FBABR31G的主要特點(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電阻(僅1.8mΩ),這顯著降低了功率損耗,提升了整體效率。此外,它還具備出色的熱穩(wěn)定性,能夠在高達(dá)175℃的工作溫度下保持性能。芯片的高電流承載能力(41A)使其適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)景。
此外,該芯片支持快速開(kāi)關(guān)操作,具有較低的輸入電容和輸出電容,從而減少了開(kāi)關(guān)損耗,并且優(yōu)化了動(dòng)態(tài)性能。這種設(shè)計(jì)特別適合需要高頻工作的電路,如DC-DC轉(zhuǎn)換器和開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)。
同時(shí),由于采用了D-PAK封裝形式,GA0805A180FBABR31G不僅具備優(yōu)良的散熱性能,還方便在自動(dòng)化生產(chǎn)線中進(jìn)行表面貼裝加工,從而提高了生產(chǎn)效率并降低了制造成本。
該芯片廣泛應(yīng)用于多種電力電子設(shè)備中,主要用途包括但不限于:
1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)中的功率開(kāi)關(guān);
2. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載開(kāi)關(guān)或保護(hù)元件;
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)元件;
4. DC-DC轉(zhuǎn)換器的核心功率器件;
5. 各種工業(yè)控制及汽車電子系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換與管理模塊。
憑借其優(yōu)異的電氣特性和可靠性,GA0805A180FBABR31G成為許多高功率密度應(yīng)用的理想選擇。
GA0805A180FBAR31G