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GA0805A180FBABR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/22 11:44:45 查看 閱讀:9

GA0805A180FBABR31G是一款由東芝(Toshiba)生產(chǎn)的功率MOSFET芯片,屬于U-MOS IX系列。該系列以其低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和卓越的性能而聞名。這款芯片通常用于各種高效能應(yīng)用中,例如電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電源轉(zhuǎn)換等場(chǎng)景。
  該芯片采用D-PAK(TO-252)封裝形式,具有良好的散熱特性和機(jī)械強(qiáng)度,適合表面貼裝工藝,能夠滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對(duì)小型化和高性能的需求。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流:41A
  導(dǎo)通電阻(典型值,Vgs=10V):1.8mΩ
  總功耗:17W
  工作溫度范圍:-55℃至175℃
  封裝類型:D-PAK(TO-252)

特性

GA0805A180FBABR31G的主要特點(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電阻(僅1.8mΩ),這顯著降低了功率損耗,提升了整體效率。此外,它還具備出色的熱穩(wěn)定性,能夠在高達(dá)175℃的工作溫度下保持性能。芯片的高電流承載能力(41A)使其適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)景。
  此外,該芯片支持快速開(kāi)關(guān)操作,具有較低的輸入電容和輸出電容,從而減少了開(kāi)關(guān)損耗,并且優(yōu)化了動(dòng)態(tài)性能。這種設(shè)計(jì)特別適合需要高頻工作的電路,如DC-DC轉(zhuǎn)換器和開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)。
  同時(shí),由于采用了D-PAK封裝形式,GA0805A180FBABR31G不僅具備優(yōu)良的散熱性能,還方便在自動(dòng)化生產(chǎn)線中進(jìn)行表面貼裝加工,從而提高了生產(chǎn)效率并降低了制造成本。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于多種電力電子設(shè)備中,主要用途包括但不限于:
  1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)中的功率開(kāi)關(guān);
  2. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載開(kāi)關(guān)或保護(hù)元件;
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)元件;
  4. DC-DC轉(zhuǎn)換器的核心功率器件;
  5. 各種工業(yè)控制及汽車電子系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換與管理模塊。
  憑借其優(yōu)異的電氣特性和可靠性,GA0805A180FBABR31G成為許多高功率密度應(yīng)用的理想選擇。

替代型號(hào)

GA0805A180FBAR31G

ga0805a180fbabr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)停產(chǎn)
  • 電容18 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 長(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-