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FK08N470J502EEG 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/23 19:09:41 查看 閱讀：9

FK08N470J502EEG 是一款 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。該器件適用于高電壓應(yīng)用場(chǎng)合，通常用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器等領(lǐng)域。其出色的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻使其成為高效功率轉(zhuǎn)換的理想選擇。
　　這款 MOSFET 采用 TO-247 封裝形式，能夠承受較高的電壓和電流負(fù)載，同時(shí)具備良好的熱性能。

參數(shù)

最大漏源電壓：470V
　　連續(xù)漏極電流：8A
　　柵極閾值電壓：2.5V~4.5V
　　導(dǎo)通電阻：3.5Ω（典型值，在 Vgs=10V 時(shí)）
　　功耗：160W
　　工作溫度范圍：-55℃~175℃

特性

1. 高耐壓能力，支持高達(dá) 470V 的漏源電壓，適用于高壓工業(yè)環(huán)境。
　　2. 極低的導(dǎo)通電阻確保了在高電流應(yīng)用場(chǎng)景下的效率提升。
　　3. 快速開關(guān)速度有助于降低開關(guān)損耗，提高整體系統(tǒng)效率。
　　4. 高溫穩(wěn)定性，能夠在極端溫度條件下保持穩(wěn)定運(yùn)行。
　　5. 可靠性高，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，并通過(guò)多項(xiàng)電氣測(cè)試驗(yàn)證。
　　6. TO-247 封裝設(shè)計(jì)提供了優(yōu)異的散熱性能，適合大功率應(yīng)用。

應(yīng)用

1. 開關(guān)電源（SMPS）中的功率開關(guān)元件。
　　2. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的功率級(jí)控制。
　　3. 太陽(yáng)能逆變器和不間斷電源（UPS）系統(tǒng)。
　　4. 電動(dòng)汽車（EV）和混合動(dòng)力汽車（HEV）中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
　　5. 各種需要高電壓、高電流切換的應(yīng)用場(chǎng)景。

替代型號(hào)

IRFP460, FQA8N50C, STP8NK50Z

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