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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > GA0805A122FXBBR31G

GA0805A122FXBBR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/27 14:07:42 查看 閱讀�11

GA0805A122FXBBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先進的制造工藝設�,主要應用于高頻開關電源、DC-DC 轉換器和電機驅動等場�。該芯片具備低導通電�、高效率和快速開關特�,能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)的整體性能�
  此型號屬于增強型 N 溝道 MOSFET,支持大電流應用,并且具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠性�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�70A
  導通電阻:2.5mΩ
  柵極電荷�80nC
  開關速度�40ns
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

GA0805A122FXBBR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,在 4.5V 柵極驅動下僅� 2.5mΩ,有助于減少傳導損耗�
  2. 快速的開關速度,可有效降低開關損�,特別適合高頻應用場景�
  3. 高電流處理能�,額定電流高� 70A,適用于大功率設��
  4. 改進的熱性能,使其能夠在高溫�(huán)境下長期�(wěn)定運��
  5. 具備良好的抗雪崩能力和靜電防護功�,增強了器件的魯棒性�
  6. 小型化封裝設�,便� PCB 布局和散熱管理�

應用

該芯片廣泛應用于以下領域�
  1. 開關電源(SMPS)中的主開關管或同步整流��
  2. DC-DC 轉換器中的功率級 MOSFET�
  3. 電機驅動電路中的功率開關�
  4. 工業(yè)控制和自動化設備中的功率轉換模塊�
  5. 太陽能逆變器和其他新能源相關產品中的關鍵組��
  6. 各種需要高效功率切換的消費類電子產品中�

替代型號

GA0805A122FXBTR31G, IRF840, FQP14N20

ga0805a122fxbbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • 產品狀�(tài)在售
  • 電容1200 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-