時(shí)間：2025/5/22 11:32:04
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GA1210H393JBAAT31G 是一款由 GaN Systems 公司生產(chǎn)的增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (eGaN FET)，采用垂直溝道結(jié)構(gòu)，具有極低的導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能。這種器件特別適合高效率、高頻應(yīng)用場合，如電源適配器、數(shù)據(jù)中心電源、無線充電設(shè)備以及工業(yè)電機(jī)驅(qū)動等。
該器件內(nèi)置了保護(hù)功能以確保在極端工作條件下的穩(wěn)定性，并且由于其出色的熱性能和小尺寸封裝，能夠顯著提升功率密度并減少系統(tǒng)體積。
類型：增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管
材料：氮化鎵 (GaN)
Vds（漏源擊穿電壓）：650V
Rds(on)（導(dǎo)通電阻）：80mΩ
Qg（總柵極電荷）：45nC
Id（最大連續(xù)漏極電流）：17A
Tj（結(jié)溫范圍）：-40°C 至 +150°C
封裝形式：8x8mm PDFN
這款 GaN 晶體管具備以下突出特點(diǎn)：
1. 高效率：得益于超低 Rds(on) 和快速開關(guān)速度，可以實(shí)現(xiàn)更高的轉(zhuǎn)換效率。
2. 小尺寸與輕量化設(shè)計(jì)：相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET，GaN 器件能夠在更小的空間內(nèi)提供相同的功率輸出。
3. 熱性能優(yōu)越：更低的熱阻使其在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定運(yùn)行。
4. 快速開關(guān)能力：支持 MHz 級別的開關(guān)頻率，非常適合高頻 AC-DC 或 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
5. 易于驅(qū)動：兼容標(biāo)準(zhǔn)邏輯電平輸入，簡化了控制電路設(shè)計(jì)。
該型號適用于多種高要求的應(yīng)用場景，包括但不限于：
1. 電源管理領(lǐng)域中的高效 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器電源解決方案。
3. 新能源汽車車載充電機(jī) (OBC) 和逆變器。
4. 工業(yè)級馬達(dá)驅(qū)動和不間斷電源 (UPS)。
5. 消費(fèi)電子產(chǎn)品的快速充電器和適配器。
6. 無線電力傳輸系統(tǒng)。
7. 可再生能源發(fā)電中的光伏微型逆變器及儲能設(shè)備。
GS66508T, EPC2045
