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GA0603Y681JBXAR31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/4 2:31:37 查看 閱讀�9

GA0603Y681JBXAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先進的半導體制造工藝設(shè)�,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動和工業(yè)控制等領(lǐng)�。該器件具備高耐壓、低導通電阻以及快速開�(guān)速度的特�,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠��
  該型號屬于增強型N溝道MOSFET,其封裝形式通常為表面貼裝類型(SMD�,具有較小的體積和較高的散熱性能,適合用于緊湊型�(shè)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�3.4A
  導通電阻:4.2mΩ
  柵極電荷�17nC
  總電容:950pF
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

GA0603Y681JBXAR31G 的主要特性包括:
  1. 高效的導通性能:超低的導通電阻可減少功率損耗,提升系統(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)速度:優(yōu)化的柵極電荷�(shè)計使其能夠支持高頻應(yīng)��
  3. 強大的散熱能力:通過改進的封裝技�(shù),提升了芯片的熱�(wěn)定性�
  4. 高可靠性和耐用性:在極端溫度條件下依然保持良好的性能�
  5. 符合RoHS標準:綠色環(huán)�,滿足國際環(huán)保要求�

�(yīng)�

這款功率MOSFET適用于多種應(yīng)用場�,例如:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流電��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率開�(guān)元件�
  3. 電池管理系統(tǒng)中的負載開關(guān)�
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電機驅(qū)動電��
  5. 各類消費類電子產(chǎn)品中的保護電路和信號切換�

替代型號

GA0603Y681KFXAR31G, IRF6676ZTRPBF, AO6812

ga0603y681jbxar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容680 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" � x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"�0.97mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-