GS8120-174004DBOEZ是一款高性能的功率MOSFET芯片,由知名半導(dǎo)體廠商生�(chǎn)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),適合用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效能功率管理的應(yīng)用場�。其封裝形式為TO-263(D2PAK�,能夠提供出色的散熱性能�
最大漏源電壓:60V
最大連續(xù)漏極電流�40A
�(dǎo)通電阻:2.5mΩ
柵極電荷�60nC
開關(guān)速度:非?�?br> 工作溫度范圍�-55℃至175�
GS8120-174004DBOEZ擁有極低的導(dǎo)通電�,這使得它在大電流�(yīng)用中能夠顯著降低功�。同�(shí),它的高開關(guān)速度有助于提高系�(tǒng)效率并減少電磁干擾(EMI�。此�,該器件具備�(qiáng)大的熱穩(wěn)定�,能夠在高溫�(huán)境下長期可靠�(yùn)行�
這款MOSFET還支持多種保�(hù)功能,例如過流保�(hù)和短路保�(hù),�(jìn)一步增�(qiáng)了系�(tǒng)的安全�。其緊湊的封裝設(shè)�(jì)也使其成為空間受限應(yīng)用的理想選擇�
GS8120-174004DBOEZ廣泛�(yīng)用于各類電力電子�(shè)備中,包括但不限于:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
由于其卓越的性能和可靠�,該芯片特別適用于對(duì)效率和熱管理要求較高的場��
IRF840, FDP17N60C