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GA0603Y332JBXAT31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/4 2:31:48 查看 閱讀�8

GA0603Y332JBXAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率、高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)�。該器件采用先進的半導(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特點,廣泛�(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動和工業(yè)控制等領(lǐng)域�
  其封裝形式緊�,能夠有效降低寄生電感對系統(tǒng)性能的影響,同時提供�(yōu)異的熱性能表現(xiàn),適用于要求嚴格的工作環(huán)��

參數(shù)

型號:GA0603Y332JBXAT31G
  類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�33A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�2mΩ
  總柵極電�(Qg)�45nC
  開關(guān)頻率:最高支�500kHz
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-247-3

特�

GA0603Y332JBXAT31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))僅�2mΩ,可顯著減少傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速的開關(guān)速度和較低的柵極電荷,適用于高頻開關(guān)�(yīng)�,能夠降低開�(guān)損耗�
  3. 高額定電流能�,連續(xù)漏極電流高達33A,確保在大負載條件下�(wěn)定運行�
  4. 寬工作溫度范圍(-55℃至+175℃),適�(yīng)各種嚴苛的工作環(huán)��
  5. 良好的熱性能,通過�(yōu)化的封裝�(shè)計提高了散熱效率�
  6. 符合RoHS標準,環(huán)保且安全可靠�

�(yīng)�

該芯片主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)管或同步整流管�
  2. 電機�(qū)動電�,用于控制直流無刷電機或步進電機�
  3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模��
  4. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)的功率級�
  5. 電動汽車充電�(shè)備中的高頻DC-DC�(zhuǎn)換器�
  6. 各種需要高效功率管理的電子�(shè)��

替代型號

GA0603Y332KDXAT31G, IRF3710, FDP059N06L

ga0603y332jbxat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容3300 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" � x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"�0.97mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-