GA0805H561KXBBP31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等場景。該器件采用了先進的半導(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點,能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)性能�
此款功率MOSFET具備出色的熱特性和電氣特�,非常適合對效率和可靠性要求較高的�(yīng)用場��
型號:GA0805H561KXBBP31G
類型:N-Channel MOSFET
漏源極耐壓(Vdss)�60V
連續(xù)漏極電流(Id)�20A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4mΩ
柵極電荷(Qg)�35nC
工作溫度范圍�-55� to +175�
封裝形式:TO-247
GA0805H561KXBBP31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少�(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)能力,適合高頻開�(guān)�(yīng)��
3. 良好的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定的性能�
4. 具備強固的ESD防護�(shè)�,增強了器件的可靠��
5. 支持大電流操�,適用于需要高功率輸出的應(yīng)用�
6. 符合RoHS�(biāo)�,環(huán)保且安全�
該器件廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流��
3. 電機�(qū)動電路中的功率控��
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切��
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護開關(guān)�
6. 太陽能逆變器和其他新能源相�(guān)�(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊�
GA0805H561KXBBP31H, IRF540N, FDP55N06L