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GA0603Y182MXBAP31G 發(fā)布時間 時間:2025/5/22 13:27:59 查看 閱讀:9

GA0603Y182MXBAP31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及電機驅(qū)動等領(lǐng)域。該芯片采用先進的半導(dǎo)體制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點,能夠顯著提高系統(tǒng)的效率和可靠性。
  這款功率 MOSFET 屬于 N 溝道增強型器件,適用于高頻開關(guān)應(yīng)用場合,具有出色的熱性能和電氣特性。

參數(shù)

類型:N溝道增強型MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):60V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):30A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.8mΩ
  總功耗(Ptot):150W
  工作溫度范圍(Tj):-55℃至+175℃
  封裝形式:TO-247

特性

GA0603Y182MXBAP31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于降低功率損耗,提升系統(tǒng)效率。
  2. 高速開關(guān)能力,適合高頻開關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
  3. 出色的熱穩(wěn)定性,能夠在高溫環(huán)境下可靠運行。
  4. 內(nèi)置靜電保護功能,提高了器件的抗干擾能力。
  5. 支持大電流操作,適用于需要高電流輸出的應(yīng)用場景。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且適合現(xiàn)代電子設(shè)備的需求。

應(yīng)用

GA0603Y182MXBAP31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)設(shè)計中的主功率開關(guān)。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流和降壓/升壓轉(zhuǎn)換。
  3. 電機驅(qū)動電路中的功率控制元件。
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載開關(guān)。
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率切換模塊。
  6. 太陽能逆變器及其他可再生能源相關(guān)設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)組件。

替代型號

IRFZ44N
  STP30NF06L
  FDP5800
  IXYS5N60P3

ga0603y182mxbap31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容1800 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 長 x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-