GA0603Y182MBBAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先進的制造工藝設(shè)�。該器件適用于高效率電源�(zhuǎn)換和電機�(qū)動等應用�(lǐng)�,具有較低的導通電阻和出色的開�(guān)性能。其封裝形式為TO-252(DPAK�,能夠有效提升系�(tǒng)的整體能效并降低熱損耗�
該功率MOSFET主要面向工業(yè)控制、消費電子及汽車電子等領(lǐng)域的應用,支持高頻開�(guān)操作,同時具備較強的電流承載能力�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�34A
導通電阻:1.8mΩ
總柵極電荷:76nC
輸入電容�1690pF
工作溫度范圍�-55℃至175�
GA0603Y182MBBAR31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高雪崩能量承受能力,確保在異常條件下仍能可靠運行�
3. 快速開�(guān)速度和優(yōu)化的柵極電荷�(shè)�,適合高頻應用環(huán)��
4. 強大的電流承載能�,使其能夠勝任大功率場景下的任務(wù)需��
5. 封裝緊湊且散熱性能�(yōu)異,可適應多種電路布局需��
6. 符合RoHS標準,綠色環(huán)�,適合長期使��
這款功率MOSFET廣泛應用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和DC-DC�(zhuǎn)換�
2. 電機�(qū)動電�,包括無刷直流電機(BLDC)和其他類型的電動機控制�
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模塊�
4. 汽車電子系統(tǒng),如車載充電�、LED�(qū)動器以及電池管理系統(tǒng)(BMS��
5. 消費類電子產(chǎn)品中的高效電源適配器和快充解決方��
IRFZ44N, AO3400A, FDP15U20AE