GA0603H392JBBAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先�(jìn)的制造工藝以實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度。該器件廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器等場景中,具有出色的效率和可靠��
此芯片設(shè)計旨在滿足對功耗敏感的�(yīng)用需�,并通過�(yōu)化柵極電荷和�(dǎo)通電阻參�(shù),為用戶提供高效的電力傳輸解決方��
類型:MOSFET
封裝:TO-247
VDS(漏源極電壓):650V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�39mΩ
ID(連續(xù)漏極電流):31A
Qg(柵極電荷)�75nC
VGS(th)(柵極閾值電壓)�4V
fT(特征頻率)�2.2MHz
�(jié)溫范圍:-55� � +175�
GA0603H392JBBAR31G 的主要特點是其卓越的電氣性能與堅固的�(jié)�(gòu)�(shè)計。以下詳�(xì)描述其特性:
1. 高效的導(dǎo)通電阻:39mΩ 的超� RDS(on) 參數(shù)確保了較低的傳導(dǎo)損�,從而提升了整體系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)能力:由于具備較低的柵極電荷�75nC�,該器件能夠?qū)崿F(xiàn)高頻工作,減少磁性元件體積并降低系統(tǒng)成本�
3. 高耐壓能力�650V � VDS 提供了足夠的電壓裕度,適用于多種高壓�(yīng)用環(huán)��
4. 大電流承載能力:連續(xù)漏極電流高達(dá) 31A,支持大功率�(fù)載操作�
5. 寬溫度范圍:能夠� -55� � +175� 的結(jié)溫范圍內(nèi)�(wěn)定運�,適�(yīng)各種極端條件�
6. �(wěn)定性強(qiáng):經(jīng)過嚴(yán)格篩選及測試,確保長期使用中的可靠性和�(wěn)定��
該器件適合用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的多種�(yīng)用場景,包括但不限于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS):� AC-DC 適配�、充電器等�
2. 電機(jī)�(qū)動:可用于無刷直流電�(jī)(BLDC�、步�(jìn)電機(jī)等的控制電路�
3. DC-DC �(zhuǎn)換器:在汽車電子、工�(yè)自動化等�(lǐng)域中廣泛�(yīng)用�
4. 逆變器:為太陽能�(fā)�、不間斷電源(UPS)等提供核心功率處理功能�
5. 其他高功率密度設(shè)備:例如電動工具、家電產(chǎn)品中的功率管理模��
GA0603H392JBBAR31A, IRFP460, FQP18N65C