ST12N10D是由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)制造的N溝道MOSFET晶體�。該器件采用TO-220封裝形式,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�、逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景��
這款MOSFET以其較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流處理能力著稱,同時具有快速開�(guān)速度,適用于多種工業(yè)及消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率管理�
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�12A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):50mΩ(典型�,在Vgs=10V時)
柵極電荷�34nC(典型值)
輸入電容�1600pF(典型值)
總功耗:175W
工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�
ST12N10D的主要特性包括:
1. 低導(dǎo)通電阻設(shè)�,從而減少了傳導(dǎo)損耗并提高了系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)性能,使得它非常適合高頻�(yīng)��
3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常情況下的耐用��
4. 具備熱關(guān)斷保�(hù)功能,能夠防止過熱損壞�
5. TO-220封裝提供良好的散熱性能,適合大功率�(yīng)��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足全球法規(guī)要求�
ST12N10D通常被應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS),例如適配�、充電器��
2. 直流/直流�(zhuǎn)換器,用于調(diào)節(jié)電壓以適�(yīng)不同�(fù)載需��
3. 電機(jī)控制電路,特別是小型無刷直流電機(jī)的驅(qū)動�
4. 逆變器設(shè)�,如太陽能逆變器或不間斷電源(UPS)�
5. 各種保護(hù)電路,比如過流保�(hù)和短路保�(hù)�
6. 汽車電子�(shè)備中的功率切換功��
IRFZ44N, STP12NF06L