GA0603H272KBBAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高效率、高功率密度的應用場景設�。該芯片采用了先進的制造工藝,能夠顯著降低導通電阻和開關(guān)損�,從而提升系�(tǒng)的整體效�。其封裝形式緊湊,適合用于空間受限的設計�(huán)��
型號:GA0603H272KBBAT31G
類型:N-Channel Power MOSFET
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�30A
導通電阻:2.7mΩ(典型值)
柵極電荷�55nC(最大值)
總電容:1400pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA0603H272KBBAT31G 具備出色的電氣性能,適用于高功率密度應��
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)特�,可有效降低開關(guān)過程中的能量損耗�
3. 高溫適應�,能夠在極端�(huán)境下�(wěn)定運��
4. 小型化封裝設�,便于在緊湊的空間中使用�
5. �(nèi)置保護功�,增強了器件的可靠性和安全��
6. 熱阻較低,有利于熱量快速散�,延長使用壽��
這些特性使得該芯片成為工業(yè)電源、電機驅(qū)動器以及通信設備等領(lǐng)域的理想選擇�
GA0603H272KBBAT31G 廣泛應用于多種高功率電子系統(tǒng)��
1. 開關(guān)電源(SMPS):
- 服務器電�
- 通信基站電源
2. 電機�(qū)動:
- 電動車窗馬達
- 家用電器直流無刷電機
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS):
- 電動工具鋰電池保�
- 新能源汽車電池監(jiān)�
4. 工業(yè)控制�
- PLC 輸出模塊
- 可編程邏輯控制器�(qū)動電�
該芯片憑借其卓越的性能,在各類高功�、高效能需求的場景下表�(xiàn)�(yōu)��
GA0603H272KBBA, IRFZ44N, FDP5800