時間：2025/5/22 11:31:17
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GA0603H183MBAAT31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶體管，采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝制成。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于各種高效率電源管理應(yīng)用，包括開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及電機(jī)驅(qū)動等場景。
該型號屬于功率 MOSFET 系列，通常用于需要高效能轉(zhuǎn)換和低損耗的場合。其封裝形式為 TO-263（D2PAK），適合表面貼裝技術(shù)（SMT），能夠提供出色的散熱性能。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：39A
導(dǎo)通電阻：1.8mΩ
柵極電荷：75nC
總電容：2150pF
功耗：160W
工作溫度范圍：-55℃ 至 175℃
GA0603H183MBAAT31G 的主要特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻，這有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體系統(tǒng)效率。此外，其快速開關(guān)能力使得它非常適合高頻操作環(huán)境。
器件還具備出色的熱穩(wěn)定性，能夠在極端溫度條件下保持性能不變。同時，其 D2PAK 封裝設(shè)計(jì)提供了良好的機(jī)械強(qiáng)度與電氣連接可靠性。
由于采用了先進(jìn)的制程技術(shù)，這款 MOSFET 在動態(tài)性能方面表現(xiàn)優(yōu)異，例如較低的開關(guān)損耗和更快的切換速度，從而滿足現(xiàn)代電力電子設(shè)備對高效能組件的需求。
該芯片廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品、工業(yè)控制設(shè)備以及汽車電子領(lǐng)域中的多種電路設(shè)計(jì)。
典型應(yīng)用場景包括但不限于：筆記本電腦適配器、LED 驅(qū)動器、電動車充電器、太陽能逆變器、家電電源模塊及通信基站電源系統(tǒng)等。
此外，在需要大電流處理能力且追求高效率的地方，如電池管理系統(tǒng)（BMS）、不間斷電源（UPS）或電動工具驅(qū)動中，也可以見到它的身影。
GA0603H183MBAAQ31G, IRF3710PbF, FDP057AN
