GA0603H183KBAAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能。該器件主要�(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動等需要高效能量轉(zhuǎn)換的場景�
該芯片屬于N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體�,能夠承受較高的電壓和電流負(fù)�,同時提供較低的功耗和更高的可靠性。其封裝形式通常為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝類�,方便大�(guī)模自動化生產(chǎn)�
型號:GA0603H183KBAAR31G
類別:功率MOSFET
類型:N溝道增強(qiáng)�
額定漏源電壓(Vds)�60V
額定漏極電流(Id)�30A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.8mΩ
柵極電荷(Qg)�45nC
工作溫度范圍�-55℃至175�
封裝形式:TO-263 (D2PAK)
GA0603H183KBAAR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有效降低傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)能力,支持高頻操�,適合于開關(guān)電源和DC-DC�(zhuǎn)換應(yīng)��
3. 高擊穿電壓設(shè)�,確保在高電壓環(huán)境下可靠運行�
4. �(nèi)置ESD保護(hù)電路,增�(qiáng)了芯片的抗靜電能��
5. 小巧的封裝形�,便于PCB布局并支持高效的散熱管理�
6. 寬廣的工作溫度范圍,適應(yīng)各種�(yán)苛的�(huán)境條��
該芯片適用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)及適配器�(shè)計�
2. 各類DC-DC�(zhuǎn)換器模塊�
3. 電動工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)動控��
4. 太陽能逆變器和電池管理系統(tǒng)(BMS)�
5. 汽車電子中的�(fù)載開�(guān)和電源管理單��
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電源管理和�(qū)動電��
GA0603H183KBAAR31G-A, IRFZ44N, FDP5500