EEHZA1H101V 時間：2025/5/20 19:21:00 閱讀：10

EEHZA1H101V 是一款高性能的 N 溝道增強型 MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。該器件采用先進的制造工藝，能夠提供低導通電阻和高開關速度，適用于各種高效能電源管理應用。其封裝形式為 TO-263，具有良好的散熱性能。
　　EEHZA1H101V 主要用于需要高效功率轉換的應用場景中，如開關電源、電機驅(qū)動、DC-DC 轉換器等。由于其低導通電阻特性，可以顯著降低功耗并提升整體系統(tǒng)效率。

參數(shù)

型號：EEHZA1H101V
　　類型：N 溝道增強型 MOSFET
　　封裝：TO-263
　　漏源極電壓(Vds)：100V
　　連續(xù)漏極電流(Id)：15A
　　導通電阻(Rds(on))：7.5mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
　　柵極電荷(Qg)：18nC（最大值）
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
　　輸入電容(Ciss)：1050pF

特性

EEHZA1H101V 具備多種卓越特性：
　　1. 極低的導通電阻 (Rds(on))，可有效減少傳導損耗，提高效率。
　　2. 高速開關能力，支持高頻應用，減少開關損耗。
　　3. 大電流承載能力，適用于高功率密度設計。
　　4. 寬廣的工作溫度范圍，適合在極端環(huán)境下使用。
　　5. 小巧的 TO-263 封裝形式，便于集成到緊湊型設計中。
　　6. 符合 RoHS 標準，環(huán)保且安全可靠。
　　這些特性使得 EEHZA1H101V 成為許多工業(yè)及消費類電子設備的理想選擇。

應用

EEHZA1H101V 的典型應用領域包括：
　　1. 開關電源 (SMPS) - 提供高效的功率轉換。
　　2. DC-DC 轉換器 - 實現(xiàn)穩(wěn)定的電壓輸出。
　　3. 電機驅(qū)動 - 控制電機的速度和方向。
　　4. 逆變器 - 將直流電轉換為交流電。
　　5. 照明系統(tǒng) - 如 LED 驅(qū)動器中的功率控制。
　　6. 工業(yè)自動化設備 - 在各類控制系統(tǒng)中作為功率開關。
　　通過利用 EEHZA1H101V 的高性能特點，可以在上述應用中實現(xiàn)更高的效率和更可靠的運行。